一、双脉冲电流作用下氧化锌电阻冲击老化破坏机理的研究（论文文献综述）
张春龙[1]（2020）在《多脉冲雷击下ZnO压敏电阻的电流热效应研究》文中认为ZnO压敏电阻在实际应用中常常因遭受雷击发热而导致热崩溃和起火燃烧。针对目前实验室中ZnO压敏电阻的单脉冲雷电冲击实验无法真实有效模拟自然雷击的问题,开展ZnO压敏电阻在多脉冲雷击下的电流热效应研究,对提高ZnO压敏电阻的雷电防护性能和安全性能具有重要的理论意义和应用价值。本文设计并搭建了多脉冲雷电冲击测试平台,从宏观损坏和微观损坏特性两个方面研究了多脉冲下ZnO压敏电阻的热损坏特性及损坏机理。基于电性能参数变化和温度变化,研究了多脉冲下不同波形参数对ZnO压敏电阻的老化特性的影响。对多脉冲下ZnO压敏电阻的能量吸收特性进行了仿真与模拟研究,根据冲击实验和模拟结果提出雷电防护性能提升改进方法。本文的主要研究内容和成果如下:（1）设计了放电时间1（?）s～999（?）s（短间隔）和1ms～999ms（长间隔）、精度±1（?）s之内、连续闪击时间间隔可调、不同波形的20脉冲雷电冲击测试实验系统,并进行了多脉冲下ZnO压敏电阻耐受冲击能力测试。结果表明不同种类ZnO压敏电阻平均冲击寿命差异显着,耐受冲击能力与自身材料和结构密切相关。（2）研究了多脉冲下ZnO压敏电阻热损坏机理,重点分析了施加工频动作负载、盐雾和潮湿环境条件下ZnO压敏电阻的热损坏特性。结果表明热物理性能和结构非均匀性导致表面温升不均匀,产生的温度梯度热应力导致ZnO压敏电阻损毁。多脉冲下ZnO压敏电阻微观晶界非均匀性越大,能量吸收集中程度JmaxJav越高,非均匀性最大的区域最先达到破裂损坏能量。非均匀系数δ为1.8时,能量吸收能力仅为400J/cm3。动作负载下ZnO压敏电阻会因热平衡失衡发生短路起火,经潮湿和盐雾环境处理后,水分子进入晶界层发生化学反应产生碱性OH-破坏晶界层结构,大大降低ZnO压敏电阻耐受冲击能力。（3）利用扫描电镜在微观层面研究了ZnO压敏电阻在多脉冲电流下的晶界层结构和晶相材料的性能变化。发现晶界层中微量元素种类和晶界尺寸会影响ZnO压敏电阻耐受多脉冲冲击能力。随着冲击次数的增加ZnO压敏电阻的晶粒结构不断发生蜕变,内部离子迁移的不均性和微观晶界层的非均匀性导致局部能量密度过大引起局部温升过高,最终使得晶胞可变晶界电阻发生熔穿,局部高温可能导致ZnO压敏电阻内部Bi元素在不同晶相中发生转变。（4）研究了不同波形参数脉冲电流对ZnO压敏电阻老化特性的影响。建立了波形参数脉冲间隔、脉冲数量、冲击次数与老化速率和表面平均温升的关系,基于等效能量法分析了3脉冲、4脉冲和5脉冲下ZnO压敏电阻的老化特性。结果表明,脉冲数量、脉冲间隔等波形参数决定了ZnO压敏电阻老化速率,脉冲能量的增加会加速ZnO压敏电阻老化。当注入相同能量时,多脉冲破坏力大于单脉冲,提出了能量叠加累积效应理论解释ZnO压敏电阻的多脉冲老化机理。（5）采用Voronoi网络几何模型仿真了ZnO压敏电阻的微观结构,以双肖特基势垒导电机理模型模拟了微观晶界等效电路,指出了多脉冲下非均匀性对ZnO压敏电阻能量吸收能力的影响。根据多脉冲下ZnO压敏电阻冲击实验和模拟结果,提出了ZnO压敏电阻边角缺陷的改进方法,并根据热效应提出SPD专用短路电流脱离器应对起火燃烧问题。
黄克俭,柴健,邳莹[2]（2019）在《基于试验的MOV长波与短波通流容量的折算关系研究》文中认为采用冲击电流发生器,对不同厂家、不同压敏电压（U1 mA）的20 kA标称放电电流（In）金属氧化物压敏电阻（MOV）施以长波10/350μs和短波8/20μs冲击电流,以期考察MOV耐受长波与短波冲击电流的折算关系。实验结果表明:MOV在长波和短波下的通流容量折算关系与MOV的压敏电压相关,其折算值与压敏电压成正比例的关系,相比于短波,长波电流耐受能力随压敏电压升高而减弱;通过实验得出,MOV在短波和长波冲击下的通流容量比值为:当压敏电压为430 V时14. 44倍,当压敏电压为620 V时16. 32倍,当压敏电压为910 V时22. 27倍。
卢俊[3]（2018）在《直流ZnO压敏电阻老化机理及状态评估方法研究》文中认为
陈锡成[4]（2018）在《基于泄漏电流谐波分析的避雷器冲击老化研究》文中研究说明氧化锌避雷器因其优异的非线性性能和冲击能量吸收能力,被广泛应用于电力系统的过电压保护。氧化锌阀片是避雷器的主要组成部分,是避雷器具有压敏保护特性的根本原因。在避雷器保护电气设备的同时,自身也因不断承受电流冲击而逐渐老化,最终导致避雷器性能下降,对电气设备的保护能力减弱,大大增加电力系统运行的风险,因此对避雷器氧化锌阀片冲击老化展开研究具有重要意义。本文从氧化锌阀片微观结构入手,根据双肖特基势垒的导电机理建立了描述晶界势垒伏安特性的方程组,在Voronoi网络的基础上构建了阀片的微观电路模型。该电路模型将宏观电气性能与微观物理参数紧密的结合在一起,对于研究氧化锌阀片冲击老化过程内部参数的变化起到了重要作用。对单个晶界的仿真结果十分符合晶界的伏安特性曲线:随着对晶界施加电压的增大,表面态填充电荷逐渐增加,势垒高度逐渐减小;当表面态填充完毕之后,势垒高度急剧降低,电流迅速增大。通过搭建冲击老化平台对氧化锌阀片进行加速老化实验,搭建工频泄漏电流测试平台测量氧化锌阀片老化过程中的工频泄漏电流波形以及常规的性能参数。通过对泄漏电流进行快速傅里叶变换得到各次谐波含量,各次谐波幅值在整个老化过程中呈上升趋势,且三次以上的谐波变化比基波更加灵敏。各次谐波与基波的比例变化趋势相同,均呈先增大后减小的趋势。造成氧化锌阀片老化过程中谐波变化的原因为:老化初期,由于电流冲击造成的局部过热造成离子迁移以及肖特基势垒畸变,导致谐波比例上升;老化后期,氧化锌阀片老化严重,晶粒和晶界内部遭受严重破坏,晶界势垒降低,非线性伏安特性大大减弱。根据泄漏电流谐波分量的变化规律,提出了基于奇次谐波电流畸变率判断氧化锌阀片老化状态的方法,该方法兼具了传统性能参数评估的稳定性以及单次泄漏电流谐波的灵敏性,很适宜用于氧化锌避雷器的在线监测。同时对氧化锌阀片的老化过程进行仿真模拟计算,通过对氧化锌阀片的仿真发现,随着晶粒施主密度的增大,阀片的泄漏电流显着上升,参考电压和非线性系数快速下降,晶界界面态密度与施主密度的影响规律相反。通过改变阀片的微观物理参数以模拟不同的老化阶段,对老化过程的仿真结果表明:随着老化程度的加深,晶粒施主密度逐渐增大,晶界界面态密度逐渐减小,晶粒电阻率变化不明显,仅在老化后期晶粒熔融板结后有小幅减小。界面态密度和施主密度的变化导致氧化锌阀片的性能下降,老化后期晶界势垒几乎消失殆尽,阀片相当于一个电阻率较低的电阻。
卢慧慧,杨仲江,周中山,陈则煌,任婧[5]（2017）在《多脉冲装置设计及其冲击特性研究》文中研究指明为研究多脉冲电流冲击特性,设计一台十脉冲电流冲击设备,其主要由8/20μs波形发生器,高压开关以及由D触发器组成延时电路等组成,利用其对压敏电阻进行冲击试验,试验表明十脉冲冲击下,ZnO压敏电阻U1 mA变化呈现初期快速减小,中期平缓,后期快速减小趋势。泄漏电流变化呈初期缓慢上升,中期进入平缓区,后期快速增大直至损坏。与单脉冲冲击下,泄漏电流变化规律相同,但泄漏电流变化的平缓区域远远小于单脉冲冲击下的平缓区域。通过对压敏电阻热行为分析发现,在十脉冲冲击下,ZnO压敏电阻内部晶粒热导率开始下降,部分热导性能较差的晶界首先由热平衡状态转入热不平衡状态,晶界区电荷量发生变化,最终伏安特性发生蜕变。
徐启腾,邹云波,王银[6]（2016）在《基于火箭引雷的限压型SPD动作特性分析》文中认为2011年5-9月份,在广东从化野外雷电试验基地,采用小型火箭引雷技术,对安装在架空低压电源线路上的SPD进行试验研究,共采集有效数据15次,其中限压型SPD数据7次,选取其中具有代表性的3次数据进行分析。结果表明,近距离人工触发闪电,在低压架空线路上感应的过电压波在波形上与人工触发闪电的雷电流波形一致;限压型SPD启动时间在初始连续电流过程（约0.1ms）和回击过程（约0.3ms）均在百μs量级,伴随明显的正向冲击峰值和反向冲击峰值,其两端残压箝位持续时间为ms级,泄放电流的时间与之相当;因初始连续电流过程持续时间较长,时间对能量的累积会导致SPD性能下降甚至损坏。
李鹏飞[7]（2016）在《多脉冲下ZnO压敏电阻特性变化研究》文中研究说明雷电通过各种途径严重危害着高压输变电设备以及建筑物内的电气电子设备。雷电过电压不仅可以引起电气电子系统误操作,还可能造成设备的永久性损坏。而安装性能可靠的电涌保护器（SPD）是减少雷击损失的重要方法之一。ZnO压敏电阻是电涌保护器的核心器件,因具有较好的能量吸收能力与优良的非线性而被广泛使用。目前,ZnO压敏电阻产品的常规性能考核和检测中一般以8/20μs等单脉冲模拟自然闪电对防雷产品进行测试,并以测试结果衡量SPD的品质。然而越来越多的观测表明：多重雷击是自然雷击的普遍现象,80%的自然雷电为多闪击过程。以单脉冲作为冲击波形与现代雷电观测数据结果不符。单脉冲模拟自然闪电和自然中具有多次回击过程的闪电具有明显差异,自然闪电具有的多次回击波形过程与单脉冲的单一的指数波形从时间和能量方面上相差甚远。因此,采用单脉冲测试品质合格的SPD,可能不具有或不完全具有耐受雷电多脉冲冲击的能力。本文采用国内最先进的同时序多脉冲高电压雷电测试平台,在最大程度上模拟自然雷电多脉冲波形的情况下,对ZnO压敏电阻进行多脉冲冲击实验研究。首先从积分等角度分析多脉冲的波形,对雷电多脉冲能量和单脉冲能量进行了计算和对比研究。然后,改变环境因素,分别探究多脉冲与单脉冲冲击过程中,ZnO压敏电阻静态参数压敏电压和泄漏电流)的变化规律,并进行对比分析,结合压敏电阻热行为等理论对其老化进行解释。最后运用控制变量法改变多脉冲冲击源的时间间隔与脉冲数量等因素,探讨ZnO压敏电阻的劣化与破坏形式,综上为以下四个方面：（1）本文首先总结了近年来雷电多脉冲现象观测的研究过程,对雷电多脉冲能量和单脉冲能量进行了计算和对比分析。（2）通过实验对常温常湿环境中单脉冲与多脉冲下压敏电阻的静态参数的变化进行对比,并利用压敏电阻电介质特性以及其内部晶界结构的变化原理对两种不同冲击源下的老化劣化情况进行探究分析,从而进一步了解接近真实自然环境下压敏电阻完整的冲击老化过程；（3）借助湿热箱和多脉冲平台,探究ZnO压敏电阻在真实雷电环境中受潮或者受盐雾污染后的老化劣化特性,为今后可耐受苛刻条件下多重雷击的ZnO压敏电阻的研发和生产工作提供参考。（4）运用控制变量法,通过改变多脉冲冲击过程中相邻脉冲的间隔和脉冲的冲击幅值以及有无动作负载,探究的ZnO压敏电阻的破坏特性与损坏模式。
葛幸[8]（2015）在《化学共沉淀法制备ZnO压敏电阻器及其性能研究》文中认为本论文首先对ZnO压敏电阻器的发展情况、应用范围及性能要求进行介绍,确定了提高元件压敏电压梯度和通流能力的研究目的。由国内外研究现状可知,通过对实验配方中添加剂粉料的制备工艺进行改进,可使ZnO压敏电阻元件的电性能得到提升。从而确定本课题主要研究内容:通过改进ZnO压敏电阻元件添加剂的制备工艺,来解决高压型压敏电阻元件通流能力有待提高的问题。具体实验方法是以现有制备高压型ZnO压敏电阻元件的配方为基础,通过化学共沉淀法制备复合纳米添加剂,分析复合纳米添加剂对元件微观方面的改善作用,进一步分析对压敏电阻器的各项电性能的影响。本文用化学共沉淀法制备Co、Mn、Bi三元系和Co、Mn、Bi、Ni、Sn五元系复合添加剂,并对实验过程的滴定环境和预烧温度进行优化。对在不同滴定环境下得到的三元系和五元系复合添加剂进行XRF分析,可知pH=10.00的滴定条件下,复合添加剂粉料的组分含量与标准实验配方最接近。对三元系和五元系粉料（pH=10.00）进行XRD衍射分析,三元系可以看到Bi2O3、Co3O4、Mn2O3的衍射峰,Bi2O3的衍射峰最明显;五元系只能看到Bi2O3的衍射峰。将1g的三元系和五元系复合添加剂粉料（pH=10.00）在730℃、760℃、800℃时重新预烧,可得其质量随温度升高而减小的规律。进行Co、Mn、Bi、Ni元素的单独沉淀实验,将沉淀物在680℃、730℃、760℃、800℃时预烧,记录粉料质量变化,对添加剂粉料进行XRD衍射分析,将预烧温度提高至750℃。用化学共沉淀法（三元系复合添加剂）制备的元件压敏电压梯度可达388V/mm,非线性系数为33,漏电流为5mA,通流值达1850A,冲击前后压敏电压变化率为7%。非线性系数与通流值都好于固相法元件。对元件进行SEM扫描电镜测试,晶粒大小均匀,平均尺寸约为7μm,晶界及晶界处添加剂的分布比固相法均匀,气孔比固相法少。还通过了热老练工艺和电老练工艺对ZnO压敏电阻元件进行处理。实验结果表明:热老练工艺可以降低压敏电压梯度,但是对通流能力影响不大。电老练工艺实验,用2.5倍和3倍压敏电压值、波形为8/20μs的雷电流对元件进行1-3次老练,可以增强元件通流能力,冲击后压敏电压变化率最小为5.16%,元件合格率达100%。
张欣,杨天琦,周北平[9]（2014）在《暂态过电压预处理对氧化锌压敏电阻冲击性能的影响》文中认为针对氧化锌压敏电阻（Metal Oxide Varistor,MOV）芯片在实际工作环境中会遭受过电压作用问题,设计了暂态过电压预处理后MOV耐受冲击老化试验,研究了不同幅值工频交流暂态过电压5 s作用下MOV芯片耐冲击老化性能变化。试验结果表明:MOV芯片经暂态过电压预处理后压敏电压升高,耐8/20μs电流波冲击次数增多;暂态过电压预处理后芯片冲击过程中压敏电压呈现下降-保持-下降过程,与未经预处理芯片压敏电压变化过程有所不同。结合双肖特基势垒导电机理推论出工频交流瞬时过电压作用下,氧化锌晶界两侧势垒高度变化过程,并经过试验数据分析证明此推论的合理性。为研究暂态过电压对MOV冲击性能影响及生产厂家预老化工艺的合理性提供试验依据。
张欣,行鸿彦,杨天琦,宋晨曦[10]（2014）在《工频过电压耐受下氧化锌压敏电阻冲击老化性能研究》文中认为针对氧化锌压敏电阻芯片在8/20μs电流冲击初期,芯片压敏电压变化较小,老化程度无法通过静态参数判别的问题,本文设计了工频过电压耐受下的ZnO压敏电阻冲击老化试验,研究了ZnO压敏电阻芯片不同冲击老化情况,耐受工频恒定不同幅值过电压过程和耐受阶段流经芯片内部电流Iin随时间的变化关系;结合双肖特基势垒理论和ZnO压敏电阻芯片Voronoi网格微观结构模型,分析试验结论。结果表明:耐受工频恒定相同幅值过电压,ZnO压敏电阻芯片经8/20μs电流冲击后老化程度越深其流过芯片内部电流Iin的初始值越大;且lin值随时间上升速率与初始冲击老化程度呈正比;相同老化程度ZnO压敏电阻芯片耐受过电压幅值越大,耐受时间越短,Iin的初始值越大。这些可为ZnO压敏电阻冲击老化劣化初期判别提供依据。
二、双脉冲电流作用下氧化锌电阻冲击老化破坏机理的研究（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、双脉冲电流作用下氧化锌电阻冲击老化破坏机理的研究（论文提纲范文）
（1）多脉冲雷击下ZnO压敏电阻的电流热效应研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究目的和意义 |
| 1.2 国内外研究进展 |
| 1.2.1 单脉冲下ZnO压敏电阻特性的研究进展 |
| 1.2.2 多脉冲雷电流特性的研究进展 |
| 1.2.3 多脉冲下ZnO压敏电阻特性的研究进展 |
| 1.3 问题的提出 |
| 1.4 研究内容和章节安排 |
| 1.4.1 研究内容 |
| 1.4.2 章节安排 |
| 第二章 多脉冲雷电冲击实验简述及耐受冲击能力研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验平台的搭建 |
| 2.2.1 基本原理和电路 |
| 2.2.2 设备技术参数 |
| 2.2.3 脉冲触发系统的研制 |
| 2.2.4 冲击电流模拟 |
| 2.3 实验模型的建立 |
| 2.3.1 冲击实验脉冲波形 |
| 2.3.2 冲击实验流程 |
| 2.4 多脉冲下ZnO压敏电阻的耐受冲击能力研究 |
| 2.4.1 威布尔分布模型 |
| 2.4.2 ZnO压敏电阻的多脉冲冲击寿命分布 |
| 2.4.3 ZnO压敏电阻损坏形式 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 多脉冲下ZnO压敏电阻冲击热损坏特性与机理分析 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 多脉冲下ZnO压敏电阻破坏机理 |
| 3.2.1 ZnO压敏电阻的温升特性 |
| 3.2.2 热应力对ZnO压敏电阻冲击寿命的影响 |
| 3.2.3 ZnO压敏电阻非均匀性对能量吸收能力的影响 |
| 3.3 动作负载下ZnO压敏电阻的热损坏特性 |
| 3.3.1 工频负载下冲击损坏及失效模式 |
| 3.3.2 起火燃烧失效机理分析 |
| 3.4 不同环境多脉冲下ZnO压敏电阻的热损坏特性研究 |
| 3.4.1 实验方案设计 |
| 3.4.2 不同环境条件下ZnO压敏电阻热损坏特性对比分析 |
| 3.4.3 特殊环境条件下的ZnO压敏电阻热损坏机理 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 多脉冲下ZnO压敏电阻的微观损坏特性 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 ZnO压敏电阻的基本微观特性分析 |
| 4.3 不同种类ZnO压敏电阻的微观晶界结构和材料特性 |
| 4.3.1 A类ZnO压敏电阻微观特性分析 |
| 4.3.2 B类ZnO压敏电阻微观特性分析 |
| 4.3.3 C类ZnO压敏电阻微观特性分析 |
| 4.4 ZnO压敏电阻的微观劣化机理 |
| 4.4.1 基于线性链理论的损坏机理 |
| 4.4.2 ZnO压敏电阻晶粒结构的蜕变 |
| 4.4.3 ZnO压敏电阻的晶相材料变化 |
| 4.5 基于BP神经网络的多脉冲下ZnO压敏电阻温升预测 |
| 4.5.1 微观晶界参数与温升之间的关系 |
| 4.5.2 BP神经网络 |
| 4.5.3 ZnO压敏电阻温升的神经网络模拟 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 多脉冲波形参数对ZnO压敏电阻老化特性的影响 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 等幅值电流冲击下ZnO压敏电阻的电性能参数变化 |
| 5.2.1 非线性特性变化 |
| 5.2.2 压敏电压和泄漏电流变化 |
| 5.3 多脉冲波形参数对ZnO压敏电阻老化特性的影响分析 |
| 5.3.1 脉冲间隔对ZnO压敏电阻老化特性的影响 |
| 5.3.2 脉冲数量对ZnO压敏电阻老化特性的影响 |
| 5.4 不同波形参数与ZnO压敏电阻的温升关系 |
| 5.4.1 脉冲数量对表面温升的影响 |
| 5.4.2 脉冲间隔和冲击次数对表面温升的影响 |
| 5.5 基于等效能量的不同波形冲击下ZnO压敏电阻老化特性 |
| 5.5.1 多脉冲电流和单脉冲8/20μs电流等效能量换算 |
| 5.5.2 多脉冲和等效能量单脉冲下ZnO压敏电阻冲击结果分析 |
| 5.6 多脉冲下ZnO压敏电阻老化机理 |
| 5.6.1 离子迁移引起的肖特基势垒畸变 |
| 5.6.2 多脉冲下ZnO压敏电阻能量叠加累积效应 |
| 5.6.3 单脉冲和多脉冲老化规律差异性原因分析 |
| 5.7 本章小结 |
| 第六章 ZnO压敏电阻等效电路模拟与提高多脉冲雷电防护措施 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 ZnO压敏电阻等效电路模型的建立 |
| 6.2.1 ZnO压敏电阻微观晶界结构仿真 |
| 6.2.2 ZnO压敏电阻晶界等效电路模型 |
| 6.2.3 流过ZnO压敏电阻的微观电流和焦耳热模拟 |
| 6.3 ZnO压敏电阻等效电路模拟结果分析 |
| 6.3.1 微观结构非均匀性对ZnO压敏电阻能量吸收能力的影响 |
| 6.3.2 微观电性能非均匀性对ZnO压敏电阻能量吸收能力的影响 |
| 6.4 ZnO压敏电阻微观晶界结构改进方法 |
| 6.5 多脉冲下SPD短路失效专用脱离器 |
| 6.5.1 外置脱离器与SPD非线性元件的参数配合 |
| 6.5.2 SPD专用短路电流脱离器 |
| 6.6 本章小结 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 总结 |
| 7.2 论文的特色与创新点 |
| 7.3 讨论与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者简介 |
（2）基于试验的MOV长波与短波通流容量的折算关系研究（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 试验方法及步骤 |
| 1.1 试验仪器与样品 |
| 1.2 试验方法与步骤 |
| 2 试验数据与分析 |
| 2.1 短波冲击能量的计算方法与实验数据 |
| 2.2 长波冲击能量的计算方法与实验数据 |
| 2.3 数据分析 |
| 3 结论 |
（4）基于泄漏电流谐波分析的避雷器冲击老化研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 氧化锌避雷器简介 |
| 1.1.1 氧化锌阀片的微观结构 |
| 1.1.2 氧化锌阀片的电气特性 |
| 1.1.3 氧化锌阀片的老化 |
| 1.2 论文研究的目的和意义 |
| 1.3 国内外研究现状 |
| 1.3.1 氧化锌阀片数值模拟计算的研究现状 |
| 1.3.2 氧化锌阀片冲击老化的研究现状 |
| 1.3.3 氧化锌阀片冲击老化判据的研究现状 |
| 1.4 论文主要研究内容 |
| 第2章 氧化锌阀片数值仿真模型研究 |
| 2.1 氧化锌晶界微观模型 |
| 2.1.1 氧化锌阀片晶界结构模拟 |
| 2.1.2 晶界导电特性 |
| 2.2 氧化锌阀片的电路模型 |
| 2.3 快速求解算法 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 氧化锌阀片冲击老化研究 |
| 3.1 冲击老化试验 |
| 3.1.1 试验样本和试验设备 |
| 3.1.2 冲击老化实验方案 |
| 3.1.3 工频泄漏电流测量 |
| 3.2 泄漏电流谐波变化特性 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 泄漏电流谐波分析研究 |
| 4.1 泄漏电流谐波含量变化与微观的联系 |
| 4.1.1 微观参数对氧化锌阀片宏观性能的影响 |
| 4.1.2 氧化锌阀片的工频泄漏电流的仿真 |
| 4.2 基于泄漏电流谐波分析的ZnO阀片老化判据研究 |
| 4.2.1 三次谐波与阀片老化程度的关系 |
| 4.2.2 各次谐波与阀片老化程度的关系 |
| 4.3 本章小结 |
| 结论 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士期间发表的论文及科研成果 |
| 参与的科研项目 |
（5）多脉冲装置设计及其冲击特性研究（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 十脉冲装置 |
| 1.1 十脉冲装置设计 |
| 1.2 十脉冲装置波形 |
| 2 十脉冲与单脉冲对比分析 |
| 2.1 试验样品选择及试验设备 |
| 2.2 试验结果分析 |
| 3 结语 |
（6）基于火箭引雷的限压型SPD动作特性分析（论文提纲范文）
| 1 试验布置与数据采集 |
| 2 数据分析 |
| 2.1 编码T20110607175531分析 |
| 2.2 编码T20110611185118分析 |
| 2.3 编码T20110611185704分析 |
| 3 讨论 |
| 4 试验结论 |
（7）多脉冲下ZnO压敏电阻特性变化研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究目的及意义 |
| 1.2 国内外发展现状 |
| 1.3 论文的研究内容及安排 |
| 第二章 多脉冲雷电流波形的研究 |
| 2.1 采用8/201μs作为电流冲击波形的由来 |
| 2.2 采用8/20μs多脉冲波形的必要性 |
| 第三章 多脉冲与单脉冲冲击波形能量对比分析 |
| 3.1 单、多脉冲冲击波形能量分析 |
| 第四章 单脉冲与多脉冲下ZnO压敏电阻冲击特性对比研究 |
| 4.1 压敏电阻热行为与温度特性理论 |
| 4.2 试验模型的建立 |
| 4.2.1 冲击波形的选择 |
| 4.2.2 试验样品选择及试验设备 |
| 4.3 试验结果分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 多脉冲下受潮ZnO压敏电阻性能研究 |
| 5.1 ZnO压敏电阻的理化特性分析 |
| 5.1.1 水分子与晶界中氧化离子的化学反应 |
| 5.1.2 ZnO压敏电阻片的温区梯度 |
| 5.2 试验模型的建立 |
| 5.2.1 试验样品选择与测试方法 |
| 5.2.2 多脉冲波形选择 |
| 5.2.3 试验设备 |
| 5.3 ZnO压敏电阻老化试验 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 多脉冲下ZnO压敏电阻的破坏形式研究 |
| 6.1 理论基础 |
| 6.1.1 ZnO压敏电阻能量破裂的热应力研究 |
| 6.1.2 ZnO压敏电阻能量破坏宏观因素研究 |
| 6.1.3 ZnO压敏电阻能量破坏微观因素研究 |
| 6.2 试验模型的建立 |
| 6.2.1 试验样品选择与测试方法 |
| 6.2.2 试验设备及判定标准 |
| 6.2.3 20脉冲高电压雷电测试平台模型 |
| 6.2.4 多脉冲波形选择 |
| 6.3 ZnO压敏电阻老化劣化试验 |
| 6.3.1 动作负载下对比实验 |
| 6.3.2 脉冲变化对比实验 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 总结与创新点 |
| 第八章 讨论与展望 |
| 参考文献 |
| 作者简介 |
| 致谢 |
（8）化学共沉淀法制备ZnO压敏电阻器及其性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 压敏电阻器的研究意义 |
| 1.2 国内外的研究现状 |
| 1.3 实验选题的确立 |
| 第二章 ZnO压敏电阻器的结构及相关机理 |
| 2.1 ZnO压敏电阻器的基本结构 |
| 2.1.1 ZnO压敏电阻器的晶相 |
| 2.1.2 ZnO压敏电阻器的晶界能带结构 |
| 2.2 ZnO压敏电阻器的电性能 |
| 2.2.1 ZnO压敏电阻器的压敏电压 |
| 2.2.2 ZnO压敏电阻器的非线性系数 |
| 2.2.3 ZnO压敏电阻器的漏电流 |
| 2.2.4 ZnO压敏电阻器的能量吸收能力 |
| 2.2.5 ZnO压敏电阻器的残压比 |
| 2.3 ZnO压敏电阻器的界面导电机理 |
| 2.4 ZnO压敏电阻器的蜕化机理 |
| 2.5 ZnO压敏电阻器的失效机理 |
| 2.5.1 破裂破坏机理 |
| 2.5.2 穿孔破坏机理 |
| 2.6 ZnO压敏电阻器的液相烧结机理 |
| 第三章 化学共沉淀法制备纳米复合添加剂的研究 |
| 3.1 化学共沉淀法 |
| 3.1.1 化学共沉淀法 |
| 3.1.2 化学共沉淀法的主要影响因素 |
| 3.2 ZnO压敏电阻器中的添加剂 |
| 3.2.1 各添加剂的作用 |
| 3.2.2 复合添加剂组成的确定 |
| 3.3 复合添加剂的制备 |
| 3.3.1 实验过程 |
| 3.3.2 微调pH值对复合添加剂粉体的影响 |
| 3.3.3 粉体的XRD衍射分析 |
| 3.4 预烧温度对复合添加剂粉体的影响 |
| 3.4.1 复合添加剂前躯体的最佳预烧温度 |
| 3.4.2 最佳预烧温度的优化 |
| 第四章 ZnO压敏电阻器制备和性能测试 |
| 4.1 ZnO压敏电阻器的制备 |
| 4.1.1 实验所需仪器 |
| 4.1.2 ZnO压敏电阻器的制备工艺流程 |
| 4.2 ZnO压敏电阻元件性能测试 |
| 4.2.1 ZnO压敏电阻元件的SEM扫描电镜测试 |
| 4.2.2 压敏元件的小电流和通流能力测试 |
| 4.3 热老练工艺对ZnO压敏电阻器性能的影响 |
| 4.3.1 热老练的原理 |
| 4.3.2 热老练实验及分析 |
| 4.4 电老练工艺对ZnO压敏电阻器性能的影响 |
| 4.4.1 电老练的原理 |
| 4.4.2 电老练实验及分析 |
| 第五章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（9）暂态过电压预处理对氧化锌压敏电阻冲击性能的影响（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 MOV芯片冲击性能影响试验 |
| 2 试验数据分析 |
| 3 结论 |
四、双脉冲电流作用下氧化锌电阻冲击老化破坏机理的研究（论文参考文献）
- [1]多脉冲雷击下ZnO压敏电阻的电流热效应研究[D]. 张春龙. 南京信息工程大学, 2020(01)
- [2]基于试验的MOV长波与短波通流容量的折算关系研究[J]. 黄克俭,柴健,邳莹. 电瓷避雷器, 2019(05)
- [3]直流ZnO压敏电阻老化机理及状态评估方法研究[D]. 卢俊. 西安理工大学, 2018
- [4]基于泄漏电流谐波分析的避雷器冲击老化研究[D]. 陈锡成. 西南交通大学, 2018(10)
- [5]多脉冲装置设计及其冲击特性研究[J]. 卢慧慧,杨仲江,周中山,陈则煌,任婧. 电瓷避雷器, 2017(01)
- [6]基于火箭引雷的限压型SPD动作特性分析[A]. 徐启腾,邹云波,王银. 第33届中国气象学会年会 S19 雷电物理和防雷新技术——第十四届防雷减灾论坛, 2016
- [7]多脉冲下ZnO压敏电阻特性变化研究[D]. 李鹏飞. 南京信息工程大学, 2016(01)
- [8]化学共沉淀法制备ZnO压敏电阻器及其性能研究[D]. 葛幸. 西安电子科技大学, 2015(03)
- [9]暂态过电压预处理对氧化锌压敏电阻冲击性能的影响[J]. 张欣,杨天琦,周北平. 仪表技术与传感器, 2014(08)
- [10]工频过电压耐受下氧化锌压敏电阻冲击老化性能研究[J]. 张欣,行鸿彦,杨天琦,宋晨曦. 电测与仪表, 2014(14)