一、实现BGA的良好焊接（论文文献综述）
郭鹏飞,马征,秦天飞,许艳凯,李晶,高祥,甄榕[1]（2021）在《真空汽相焊接技术在宇航产品中的应用》文中研究表明根据相关数据统计,电子产品的失效问题有75%是由于焊点失效造成的,特别是对于BGA器件,在真空环境下,焊点空洞率超过15%就可能在长期的恶劣环境下发生开裂,导致产品功能失效。目前,不同的单位都在采取各种措施来降低BGA焊点空洞率,主要有优化温度曲线、氮气保护或者采用真空回流焊的方式来实现,效果不尽相同,焊接问题仍时有发生。通过采用真空汽相焊技术解决BGA焊点空洞率高的问题,优化温度曲线及回流区的真空度,实现焊接空洞率小于5%,从而提高焊点在真空环境下的强度,满足航天产品深空探测需求。
吴德志,陈卓,海振银,陈亮,叶坤,王凌云,赵立波[2]（2022）在《微纳系统微区感应加热技术的研究进展》文中指出微区感应加热作为一种局部加热技术,兼具热响应快、非接触及加热特性可控等优势,在微机电系统、微流控芯片等微纳系统领域的应用潜力巨大。介绍了微区感应加热的基本原理,系统阐述了微区感应加热在封装、驱动及材料生长等方向的研究进展,分析了待解决的关键问题,总结并指出了发展方向。
方舒,朱俊楠,谭润秋,黄金鑫[3]（2021）在《一种BGA焊锡球表面处理剂及其性能评价》文中指出目前国内还鲜见针对芯片封装用焊锡球表面处理剂方面的研究报道。为此,以SnAg3.0Cu0.5合金焊料的球珊阵列封闭（BGA）焊锡球为基础,研制并评价了一种BGA焊锡球表面处理剂。该表面处理剂是由85%～92%（质量分数,下同）的松香、5%～10%的聚乙烯、2%～4%的低熔点蜡以及0.5%～1.0%的活性剂和增塑剂等添加剂组成,再将其按质量份数将1份混合液用80份正己烷稀释而制成。通过对覆膜后BGA锡球的焊接过程、微观组织、空洞情况、黏球情况、抗氧化性以及在焊锡球表面的包裹状态等为评价指标,评价了该表面处理剂的性能。结果表明:此种表面处理剂的使用能够满足焊锡球的焊点饱满且均匀、焊接性能良好、不黏球、抗氧化膜包覆均匀且抗氧化性能优异等必要条件,能够满足公司内控及BGA焊锡球的客户使用要求。
岳帅旗,王贵化,游世娟,张刚,王春富[4]（2021）在《LTCC基板BGA焊接剪切强度影响因素分析》文中研究表明通过横向对比的方法,分析了阻焊结构、通孔、焊球直径、阻焊开口尺寸对LTCC基板BGA焊接剪切强度的影响分析。结果表明,阻焊结构的引入能够大幅提升BGA焊盘的剪切强度,且通孔的引入不会降低Ni/Pd/Au焊盘的剪切强度。剪切强度会随着焊球直径显着变化,且可通过增加阻焊开口尺寸获得提升。
陈盛,谢志东[5]（2021）在《真空回流焊的技术特点》文中研究说明本文通过分析焊接空洞产生的原因和危害,从工艺方面和设备方面提出了解决空洞的方案,并对真空回流焊接温度曲线特点及焊接对比进行了分析,以期为解决焊接空洞问题提供帮助。
周文木,刘锦锋,张良静,丁杨[6]（2021）在《印制板盘中孔工艺分析及可靠性研究》文中研究说明高密度、高可靠性印制板大尺寸BGA采用单盘盘中孔设计趋势越来越普遍。文章紧紧围绕盘中孔工艺流程,首先对行业标准中盘中孔铜包覆镀层及铜盖覆层验收规定进行解读,然后采取工艺过程分析和设计专项试验验证的方式,从复杂盲孔叠层结构对标准符合性的挑战、树脂研磨及塞孔方式对盘中孔平整性及非塞孔的影响、铜盖覆镀层缺陷对焊接性能的影响等角度进行分析和研究,最终形成该类印制板单盘盘中孔品质管控要点,以期提高产品可靠性。
邹阳,郭波,段学俊,吴庆堂,魏巍,吴焕[7]（2021）在《无铅焊点可靠性的研究进展》文中指出文中根据近两年来国内无铅钎料研发过程中存在的问题,简要评述了无铅钎料的研究进展及发展趋势,并着眼于焊点可靠性对无铅钎料进行了评述。首先介绍影响无铅焊点可靠性的因素;其次汇集了2012～2018年国内学者对无铅钎料焊点可靠性的研究方法及研究成果,并结合加载载荷及热循环共同作用、有限元模拟分析、电迁移及锡须生长影响无铅焊点性能的4个方面对无铅焊点可靠性进行了分析;最后结合以上研究成果针对无铅钎料的未来发展进行展望,为新型无铅钎料的进一步研究提供理论支撑。
来林芳,雷素玲,常春兰,沈丰,李晴[8]（2021）在《航天器大尺寸阵列封装FPGA器件的落焊工艺》文中认为针对航天器电子产品上大规模阵列封装FPGA器件三防固封后落焊的特点,分析了三防漆与硅橡胶对FPGA器件落焊的影响,重点对返修工作站拆卸和焊接元器件时印制板组件的热分布情况进行了研究。结合实际工作经验,通过大量的试验总结了三防固封后大规模阵列封装FPGA器件落焊的具体工艺流程与实施方法,验证了方法的有效性。
段琪昱[9]（2021）在《基于关键元器件再利用的废旧手机线路板拆解技术研究》文中研究表明废旧智能手机废弃量巨大,导致废旧手机印刷线路板（Printed Circuit Board,PCB）数量随之增多,其结构和成分复杂,包含了多种元器件、金属和塑料以及多种有害成分。传统的处理方法一般是手工拆解、酸洗或焚烧等,但是这些方法易造成严重的环境污染,而且不能实现废旧线路板回收的高值化,只能简单地回收金属和非金属等材料。废旧手机线路板上含有很多有价值的芯片,很多芯片的寿命较长,在废旧手机废弃后线路板上的这些芯片仍具有良好性能,经过无损拆解后,通过可靠性检查可重新再利用,以实现废旧线路板回收价值最大化,也可以有助于后续材料的选择性分类处理。所以高效绿色的无损拆解线路板上芯片的工艺是十分必要的。本文通过拆解废旧智能手机,收集芯片信息,确定了中央处理器（Central Processing Unit,CPU）和只读存储器（Read-Only Member,ROM）两种具有回收价值的手机芯片;使用空气热对流加热方式和热传导方式进行拆解实验,对照不同因素对拆解效果的影响;对熔融焊点进行力学分析,计算并验证水平和垂直最小拆解力。分析并验证了在实际拆解中出现的底部填充胶对拆解过程中影响;根据实验结果优化了拆解时的升温及拆解机械力的方案;为了低污染的拆解工艺,分析对照了热拆解过程中释放的挥发性有机物（Volatile Organic Compounds,VOCs）浓度及污染物组分等。为实现绿色无损拆解工艺工业化和后续污染物处理提供了理论依据。对20款废旧智能手机进行手工拆解,汇集CPU和ROM的尺寸和重量等信息,确定了CPU和ROM均是球栅阵列封装（Ball Grid Array Package,BGA）方式。对芯片热拆解后的结果显示空气热对流加热拆解效果比热传导效果更好,加热效果稳定,芯片受热均匀。所以确定了空气热对流加热为本文研究的拆解方式。通过实验验证了当升温速率为3℃/s时拆解下的芯片效果较好,升温和拆解时间相对较短,拆解效率相应提高。当预热阶段温度设置为170℃保温90s时,芯片拆解效果最佳,形状完整。根据芯片拆解效果,显示有底部填充胶的芯片在拆解时比没有底部填充胶的芯片所需的温度更高,保温时间更长。且拆解BGA芯片时的实测温度（215℃-235℃）比栅格阵列封装（Land Grid Array,LGA）芯片的实测温度（200℃-215℃）略高。对拆解时熔融焊点力学分析的研究结果显示,不考虑底部填充胶的情形下水平方向的拆解力与焊点横截面积、焊点高度相关;垂直方向的拆解力与芯片自身重力、焊点与芯片接触面积等相关。根据拆解芯片的实际尺寸数据计算理论拆解力,经过验证实验后发现无底部填充胶时,水平方向拆解力更小;含有底部填充胶的则是垂直方向拆解力更小。选择三种常见的手机芯片底部填充胶进行测试,确定固化条件是温度155℃,时间8min和12min。将废旧芯片处理后以底部填充胶与线路板重新连接,在245℃条件下再进行热拆解,测量拆解面积为11*13mm2的芯片所用拉力在2.8～3.9N范围内。在拆解单个芯片过程中测量释放到环境中VOCs的累积浓度,选取215℃、225℃、235℃、245℃、255℃和265℃6个保温温度进行测试,检测出累积VOCs浓度的结果分别为0.4mg/m3、3.8mg/m3、4.7mg/m3、5.2mg/m3、5.4mg/m3、7.0mg/m3。在拆解时,线路板升温过程中VOCs的浓度上升速率缓慢,但是到达设定温度进行保温时,VOCs浓度上升速率持续快速增长,在停止加热后仍持续增长一段时间后开始向环境中扩散,检测到VOCs浓度开始缓慢降低。采集并检测不同温度下VOCs的组分及相应浓度,结果显示不同温度下的组分相似,但是浓度有差异,其中浓度较高的污染物组分是苯系物。
丁毓[10]（2021）在《Ge、Bi对SAC105和Sn0.7Cu热可靠性影响》文中研究表明
二、实现BGA的良好焊接（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、实现BGA的良好焊接（论文提纲范文）
（1）真空汽相焊接技术在宇航产品中的应用（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 问题概述及原理分析 |
| 2 试验设计 |
| 3 试验开展 |
| 4 产品验证 |
| 5 结论 |
（2）微纳系统微区感应加热技术的研究进展（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 微区感应加热的基本原理 |
| 2 微区感应加热的研究进展 |
| 2.1 MEMS系统的微区感应加热应用研究 |
| 2.1.1 器件级键合 |
| 2.1.2 晶圆级键合 |
| 2.2 微流控系统的微区感应加热应用研究 |
| 2.2.1 微流道热气体驱动 |
| 2.2.2 微阀流量控制 |
| 2.2.3 微流控芯片无线感应加热 |
| 2.3 微纳材料的微区感应加热应用研究 |
| 2.3.1 微纳材料生长 |
| 2.3.2 微纳材料形态控制 |
| 2.3.3 微纳材料与金属互连 |
| 2.4 微区感应加热在电子器件封装应用的研究 |
| 3 待解决的关键问题 |
| 3.1 加热系统结构影响温度均匀性 |
| 3.2 样品结构尺寸影响温升特性 |
| 3.3 焊接头形貌演变影响封装可靠性 |
| 4 结论和展望 |
（3）一种BGA焊锡球表面处理剂及其性能评价（论文提纲范文）
| 0 前 言 |
| 1 试 验 |
| 1.1 BGA表面处理剂的组成及覆膜方法 |
| 1.2 性能评价及表征 |
| 1.2.1 焊接性能 |
| 1.2.2 黏球情况 |
| 1.2.3 抗氧化性 |
| (1)摇球试验： |
| (2)高温试验： |
| (3)恒温恒湿试验： |
| 1.2.4 焊锡球表面形貌及有机物的包裹状态 |
| 2 结果与讨论 |
| 2.1 焊接性能测试 |
| 2.2 黏球情况测试 |
| 2.3 抗氧化性测试 |
| 2.4 焊锡球表面形貌及有机物的包裹状态 |
| 3 结束语 |
（4）LTCC基板BGA焊接剪切强度影响因素分析（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 试验方案 |
| 1.1 试验设计 |
| 1.2 样品的制备与测试 |
| 1.3 试验测试结果 |
| 2 结果与分析 |
| 2.1 阻焊结构影响分析 |
| 2.2 通孔布置影响分析 |
| 2.3 焊球直径影响分析 |
| 2.4 阻焊开口尺寸影响分析 |
| 3 结论 |
（5）真空回流焊的技术特点（论文提纲范文）
| 1 焊接空洞产生的原因 |
| 2 焊接空洞的危害 |
| 2.1 空洞对产品影响 |
| 2.2 行业标准 |
| 3 解决空洞的方案 |
| 3.1 工艺方面 |
| 3.2 设备方面 |
| 4 真空回流焊接 |
| 4.1 应用 |
| 4.2 环保 |
| 5 真空回流焊接温度曲线特点及焊接对比 |
| 5.1 炉温曲线测量方式 |
| 5.2 回流时间延长 |
| 5.3 三段式链条传输轨道 |
| 6 真空回流焊接应用的风险点 |
| 6.1 器件封装失效风险 |
| 6.2 回流时间超限 |
| 6.3 焊点风险 |
| 6.4 设备风险 |
| 6.5 操作风险 |
（6）印制板盘中孔工艺分析及可靠性研究（论文提纲范文）
| 1 行业标准对盘中孔验收的相关规定 |
| 1.1 最新国家军用标准GJB9491-2018（微波印制板通用规范）[1]对铜包覆镀层要求 |
| 1.2 GJB9491-2018对填塞孔的盖覆镀层要求 |
| 2 多次埋盲孔结构对标准符合性的挑战 |
| 2.1 多次埋盲孔结构表层铜层情况分析 |
| 2.2 复杂叠层结构中Cap镀层与Wrap镀层优先原则 |
| 3 研磨及塞孔方式对盘中孔平整性及非塞孔的影响 |
| 3.1 研磨方式的影响及工艺流程优化 |
| 3.2 塞孔方式的影响及干膜组合工艺流程优化 |
| 4 盘中孔相关缺陷对印制板焊接的影响 |
| 4.1 铜盖覆镀层偏薄或局部缺失易造成焊接后焊点空洞异常 |
| 4.2 铜盖覆镀层品质管控措施 |
| 5 总结 |
（7）无铅焊点可靠性的研究进展（论文提纲范文）
| 0 前言 |
| 1 无铅钎料体系 |
| 2 焊点可靠性因素 |
| 2.1 外加载荷及热循环共同作用对焊点可靠性的影响 |
| 2.2 采用有限元模拟分析无铅焊点可靠性 |
| 2.3 电迁移对焊点可靠性的影响 |
| 3 结论 |
（8）航天器大尺寸阵列封装FPGA器件的落焊工艺（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 落焊工艺难点分析 |
| 1.1 三防固封后印制板返修难点 |
| 1.2 阵列封装器件返修难点 |
| 2 方案确定 |
| 2.1 方案流程 |
| 2.2 温度曲线的确定 |
| 2.3 防护和去胶范围的确定 |
| 3 落焊、返修主要工艺方法实施 |
| 3.1 除胶 |
| 3.2 植球或植柱 |
| 3.3 焊膏印刷 |
| 3.4 贴片 |
| 3.5 落焊 |
| 4 检验 |
| 5 结束语 |
（9）基于关键元器件再利用的废旧手机线路板拆解技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 .研究背景 |
| 1.2 国内外废旧线路板拆解方法 |
| 1.2.1 热力解焊 |
| 1.2.2 机械力拆解 |
| 1.3 课题来源 |
| 1.4 研究的意义及内容 |
| 1.4.1 研究内容 |
| 1.4.2 技术路线 |
| 1.4.3 研究意义 |
| 第二章 拆解实验装置及原料预处理 |
| 2.1 实验设备及操作 |
| 2.1.1 空气热对流加热 |
| 2.1.2 热传导加热 |
| 2.2 实验材料预处理 |
| 2.2.1 手机线路板 |
| 2.2.2 CPU |
| 2.2.3 ROM |
| 2.2.4 芯片价值及确定目标芯片 |
| 2.3 芯片结构及特性 |
| 2.3.1 BGA封装及特征 |
| 2.3.2 LGA封装及特征 |
| 2.3.3 针对芯片特性的拆解要点 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 拆解实验及结果讨论 |
| 3.1 空气热对流拆解实验结果与讨论 |
| 3.1.1 针对无底部填充胶芯片的空气热对流法实验结果讨论 |
| 3.1.2 针对有无底部填充胶芯片的拆解过程对照实验结果讨论 |
| 3.1.3 对照BGA和 LGA芯片的拆解温度和保温时间 |
| 3.2 无铅焊锡炉温度设定及实验结果 |
| 3.3 不同加热方式拆解过程的对照 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 拆解过程中的力学分析 |
| 4.1 理论拆解力分析 |
| 4.1.1 水平方向拆解拆解力 |
| 4.1.2 垂直方向拆解拆解力 |
| 4.2 验证实验及结果讨论 |
| 4.2.1 实验装置及设备 |
| 4.2.2 理论计算及验证结果讨论 |
| 4.2.3 实际元件拆除力计算 |
| 4.3 拆解过程中底部填充胶的影响 |
| 4.3.1 实验材料 |
| 4.3.2 底部填充胶在芯片拆解中的作用力测试 |
| 4.4 拆解方案 |
| 4.4.1 元器件单独拆除分析 |
| 4.4.2 多元件同时拆除分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 不同温度下拆解过程对空气的污染影响 |
| 5.1 温度对产生VOCs的影响 |
| 5.1.1 污染源处累积VOCs浓度随温度变化的趋势 |
| 5.1.2 不同温度下污染源瞬时VOCs浓度变化 |
| 5.2 拆解环境中废气污染物组分对照 |
| 5.2.1 拆解过程中废气样品的采集 |
| 5.2.2 废气样品组分对照 |
| 5.3 废旧线路板热裂解实验结果对照 |
| 5.3.1 不同温度下线路板热裂解污染物质对照 |
| 5.3.2 不同温度下填充胶热裂解污染物质对照 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 研究成果及发表的学术论文 |
| 致谢 |
四、实现BGA的良好焊接（论文参考文献）
- [1]真空汽相焊接技术在宇航产品中的应用[J]. 郭鹏飞,马征,秦天飞,许艳凯,李晶,高祥,甄榕. 电子工艺技术, 2021(06)
- [2]微纳系统微区感应加热技术的研究进展[J]. 吴德志,陈卓,海振银,陈亮,叶坤,王凌云,赵立波. 中国机械工程, 2022
- [3]一种BGA焊锡球表面处理剂及其性能评价[J]. 方舒,朱俊楠,谭润秋,黄金鑫. 材料保护, 2021(10)
- [4]LTCC基板BGA焊接剪切强度影响因素分析[J]. 岳帅旗,王贵化,游世娟,张刚,王春富. 电子工艺技术, 2021(05)
- [5]真空回流焊的技术特点[J]. 陈盛,谢志东. 电子技术与软件工程, 2021(18)
- [6]印制板盘中孔工艺分析及可靠性研究[J]. 周文木,刘锦锋,张良静,丁杨. 印制电路信息, 2021(09)
- [7]无铅焊点可靠性的研究进展[J]. 邹阳,郭波,段学俊,吴庆堂,魏巍,吴焕. 焊接, 2021(08)
- [8]航天器大尺寸阵列封装FPGA器件的落焊工艺[J]. 来林芳,雷素玲,常春兰,沈丰,李晴. 电子工艺技术, 2021(04)
- [9]基于关键元器件再利用的废旧手机线路板拆解技术研究[D]. 段琪昱. 上海第二工业大学, 2021(08)
- [10]Ge、Bi对SAC105和Sn0.7Cu热可靠性影响[D]. 丁毓. 江苏科技大学, 2021