一、使聚焦电压升高的有效方法（论文文献综述）
汪晨阳[1]（2021）在《石墨形貌及粒度对高比容硅氧碳复合电极结构及性能影响的研究》文中提出在多孔电极中,电极结构是决定电极及电池性能的关键,尤其对于体积效应较大的硅基电极。如何控制硅基电极的体积效应、缓解硅电极充放电过程中的应力应变,进而改善硅基电池循环性能是加速下一代高比能锂离子电池实用化进程的关键。本论文将石墨材料与硅氧材料混合,通过调整石墨材料的粒度及形貌构建了具有不同结构特征的硅氧碳复合电极,采用扫描电子显微镜（SEM）、压汞和曲折度测试等方法对电极结构进行了表征,深入探讨了石墨形貌及粒度对电极结构的影响。对不同电极的循环和倍率性能进行评价,明确了电极结构与电极电化学性能的内在关联。将制备的具有不同电极结构的硅氧碳负极应用于高镍三元电池体系,进一步研究了电极结构对电池循环性能的影响,并结合原位电化学原位诊断、应力应变及事后解剖分析等方法对高镍/SiOx-C电池衰减机制进行了初步探讨。本文选取了 SMG、KS-6、SFG15、C59四种具有不同形貌和粒度的商业化石墨,其中SMG属于类球型石墨,D50为14.5μm,KS-6、SFG15、C59属于片层类石墨,材料D50分别为4μm、9.34 μm和15.7 μm。SEM和曲折度测试结果表明:类球型大颗粒SMG和片层大颗粒C59材料构建的电极具有较大孔径,而小颗粒片层石墨KS-6和SFG15材料构建的电极孔径相对较小;类球型大颗粒SMG在电极中随机排列,电极曲折度最小,为2.77,片层石墨平行于集流体排列,随着片状石墨KS-6、SFG15、C59纵横比的增加,电极曲折度增加,分别为3.21、3.56和4.01。电化学性能测试结果显示:三种片层石墨KS-6、SFG15、C59电极,随着石墨粒度的增加,电极曲折度增加,电极循环与倍率性能略有下降。曲折度小取向性好的类球型SMG石墨电极循环与倍率性能略优。将四种石墨与SiOx材料混合制备SiOx/C电极（Si-SMG电极、Si-KS-6电极、Si-SFG15电极以及Si-C59电极,850 mAh/g）,通过压汞测试发现:不同石墨所制备的SiOx/C电极具有不同的孔隙结构,采用大颗粒石墨构建的Si-SMG和Si-C59电极内部孔隙和孔径较大,孔隙率分别为36.97%和39.05%,硅氧颗粒团聚堆积在石墨颗粒的孔隙中。采用小颗粒构建的Si-KS-6和Si-SFG15电极内部孔隙和孔径较小,孔隙率分别为33.39%、33.83%,硅氧颗粒均匀分散。循环及倍率性能测试结果表明:Si-SMG、Si-KS-6、Si-SFG15和Si-C59电极60周循环容量保持率分别为50.50%、62.25%、75.15%和27.25%,四种电极2 C容量保持率分别为70.7%、60.3%、94.1%和59.4%。SEM对循环前后电极形貌分析发现:循环60周后Si-SMG、Si-KS-6、Si-SFG15、Si-C59 电极膨胀率分别为 96.57%、90.26%、86.50%、97.56%。四种电极在循环后均出现了不同程度的膨胀,其中循环和倍率性能最优的Si-SFG15电极膨胀率最低,极片与集流体未发生脱离,微观结构最为稳定。采用不同 SiOx/C 负极制备 Si-SMG、Si-KS-6、Si-SFG15 和 Si-C59 四种高镍/SiOx-C软包锂离子电池,电池额定容量为2500±50 mAh。循环测试结果显示:循环至200周,四种电池容量保持率分别为86.84%、87.14%、89.14%、85.23%,其中Si-SFG15电池循环性能最优,而Si-C59电池循环性能最差,高镍/SiOx-C软包锂离子电池循环性能和硅氧碳的结构稳定性直接相关。采用恒位移和恒压力检测装置原位检测电池循环过程中的应力应变特性,结果显示:四种电池充放电过程中应力应变变化趋势分为三个阶段,即应力应慢速增长期、应力应变快速增长期和应力应变加速增长期,不同电池应力应变的波动范围差异较大,其中循环性能较差的Si-C59电极应力应变最高,分别为640.76%和7.461%,而循环性能较好的Si-SFG15电池应力应变最低,分别为38.17%和2.307%。Si-C59电池应力应变偏高和电极内部硅氧颗粒的团聚和大颗粒平行极片的排列方式有关。采用准平衡态标定、DV曲线及事后解剖分析发现:电池循环过程中正极材料的容量、电压平台没有发生明显变化,电池容量衰减模式主要是活性锂离子和负极活性物质的损失。在200周之前,电池活性锂离子的损失是导致电池容量衰减的主要原因;当循环超过200周后,电池容量的衰减模式发生改变,此阶段电池的容量衰减是负极活性物质和活性锂离子损失共同作用的结果。电极内部应力应变是导致电极结构失效进而诱发活性锂离子和负极活性物质损失的主要原因。
王一帆[2]（2021）在《宽幅扫描电子束动态聚焦仿真优化设计》文中指出电子束选区熔化技术的重要性随着复杂精密零件在各工业门类中的大量应用而日益凸显,其中较大尺寸复杂零件的加工对电子束的宽幅扫描与动态聚焦提出了更高的要求。本课题以设计出可以实现宽幅扫描电子束动态聚焦的电子枪系统为研究目标,对电子枪的形成系统、聚焦系统、偏转系统以及动态聚焦模糊控制系统进行了仿真优化设计,并对相关规律进行了总结,以指导实际的电子枪研发。首先基于电子光学原理与电子枪设计原则,以总功率为3 k W、阴极加速电压为-60 k V、束流调节范围为0～-50 m A的电子枪为例,对电子束的形成系统、聚焦系统与偏转系统进行了计算与设计。使用CST软件对该电子枪系统进行了仿真模拟,并基于模拟结果对电子枪中的关键零件进行了参数优化,同时得出了下列结论。在电子束形成系统设计中,阴极、聚束极与阳极主要对电子枪的加速电场造成影响,进而影响电子束的束流特性:聚束极与阴极间隙过大会使电场向阴极方向扩展,阴极前空间中的电势升高,从而减弱阴极电子发射能力;阳极孔径过大则会使电场向阳极扩展,阴极前空间中的电势降低,阴极电子发射能力增强。在阴极-60k V、阳极0 V的情况下,增加聚束极相对负压会减小电子束电流、减小一次聚焦焦距、减小焦点直径,直至达到该电子枪模型的截止电压-65.5 k V,此时电子束电流为0。此外,电子束传输空间与阳极等电势可以使电子束在传输中没有能量损失。聚焦系统与偏转系统的设计是实现电子束宽幅扫描的重点,主要的设计目标是得到中心磁场强度足够高的聚焦线圈,与电磁环境相对简单、磁场均匀程度较高的偏转线圈,进而得到刚度较高的、宽幅扫描时容易被控制的电子束。仿真发现适中的聚焦线圈内径和线圈外增加铁壳都可以提高聚焦线圈的磁场强度。在多相式偏转线圈中,随着相数的增加,磁场均匀程度先增强后减弱,增加磁芯会降低磁场均匀度;与之相比,鞍形线圈虽然磁场均匀度下降,但是极大简化了电磁环境,使电子束偏转更容易控制,且采用绕组的量化分布可以对其磁场均匀程度进行改善。电子束宽幅扫描的另一个重点是动态聚焦的实现,针对其开发了模糊控制系统。利用Py Charm软件建立了一个二输入三输出的BP神经网络,其中包含两个隐藏层,每层包含16个神经元。选择一固定平面使电子束在该平面的标定位置实现聚焦,采集标定点的坐标、相应的聚焦补偿电流与偏转电流等数据,共481组用于神经网络的训练,然后使用该神经网络对电子束动态聚焦进行控制。对控制结果进行仿真模拟验证,发现其偏差在1%以内,具有实用价值。
张虎波[3]（2021）在《激光触发真空开关固有介质恢复特性研究》文中研究说明脉冲功率在工业领域应用范围的不断扩大对脉冲功率发生装置的重复频率和产生的脉冲波形提出了更高要求。闭合开关是脉冲功率系统中的最重要的器件之一,直接决定了系统的重复频率、能量转换、脉冲陡度、峰值和脉宽等参数。作为一种新型闭合开关,激光触发真空开关（Laser Triggered Vacuum Switch,LTVS）相较于其他闭合开关有很多性能方面的优势,包括时延短、抖动小、触发精准、容量大、寿命长等。与传统真空开关不同,LTVS的开断能力受电弧烧蚀电极和靶材的双重作用。为进一步提高其重复频率和高频条件下开断能力,对不同因素下LTVS固有介质恢复特性进行了实验研究。本文首先结合LTVS燃弧图像分析了其弧后等离子体特点,利用电磁场仿真软件ansoft maxwell仿真分析靶材结构和位置对电场的影响;建立杯状纵磁触头三维模型,使用瞬态磁场求解器仿真分析不同电流峰值、频率、电极间距下电流峰值时刻和电流过零时刻间隙磁场分布情况;结合前述电磁场仿真结果,探讨并分析了电磁场对LTVS介质恢复特性的影响。其次设计脉冲高压源并对脉冲高压回路展开研究,确定脉冲高压源元件参数并得到用于介质恢复特性试验的理想脉冲高压;利用simulink仿真软件对高频电流源回路计算求解,确定实验回路中各元件参数;分别设计主回路和脉冲高压回路使用的激光触发系统,结合回路中可能产生的时延和抖动测量分析结果,确定输出触发信号时间间隔,完成时序控制的设计。最后基于可拆卸真空灭弧室搭建了LTVS介质强度恢复特性实验平台,改变电流幅值、频率、电极间距因素,对比不同因素下LTVS介质强度随时间的变化曲线,讨论各影响因素对LTVS介质恢复强度的影响。试验结果表明,LTVS的固有介质强度恢复速度随电流幅值的增加而变慢;随电极间距增大时,固有介质强度恢复速度变慢;与半波时间为206μs的正弦电流相比,半波时间为167μs时,LTVS在电流过零初始时刻介质强度较低,恢复速度较慢,一段时间后介质恢复速度变快,介质恢复强度迅速增加,研究结果可为提高LTVS开断能力和重复频率提供指导依据。
罗凯旋[4]（2021）在《聚焦超声联合天麻素对Aβ1-42诱导的AD样小鼠的治疗作用和机制研究》文中研究表明第一部分聚焦超声换能器的制作及表征[目的]制作适用于经头皮及颅骨开放血脑屏障的聚焦超声（FUS）换能器[方法]选用锆钛酸铅（PZT）材料的曲面压电陶瓷制作超声换能器,制作完毕运用超声波束分析仪和超声强度测量系统对其声束路径、焦点位置、场能分布进行表征,并设计、打印与之配套的超声换能器适配器。[结果]本实验成功制作了基础频率1 MHz、重6.8 g、底面最长处为2.05 cm,高1.2 cm的FUS换能器。经表征,该换能器所发出的超声波声束路径规则,焦点在距离换能器表面约2.3 cm处。在X-Y平面上焦点近似一长半轴1 mm,短半轴0.8 mm的椭圆;在Y-Z平面上亦呈椭圆形,长半轴约5 mm。所制作的适配器与换能器吻合度良好。[结论]本研究成功制备了基础频率为1 MHz的FUS换能器。换能器体积小、质量轻,所发出的超声路径规则,聚焦性能好,声场分布均匀。我们还设计并制作了适用于该换能器的适配器以便焦点更精准地覆盖靶脑区。第二部分聚焦超声开放血脑屏障的参数筛选及可逆性研究第一章输出电压对聚焦超声开放血脑屏障有效性及安全性的影响研究[目的]在其他条件固定的情况下,探索输出电压幅值对聚焦超声开放血脑屏障（BBB）有效性及安全性的影响,筛选出合适的输出电压幅值。[方法]将SPF级雄性KM小鼠（8-9周龄,体重28 g以上）随机分为5组:0 mV组,100 mV组,200 mV组,500 mV组和1200 mV组。尾静脉注射微泡后给予FUS辐照（Bregma-2.7 mm,lateral+2.5 mm）,再经尾静脉注入伊文思蓝（EB）,4 h后取材,用EB的脑含量表征FUS开放BBB的有效性,用HE染色探查安全性。[结果]0 mV组小鼠BBB未开放,小鼠脑部EB含量为（2.81±0.97）μg/g。100 mV、200 mV、500 mV、1200 mV组小鼠BBB有不同程度开放,脑部 EB 含量分别为（3.87±0.51）、（13.07±1.47）、（34.2±19.4）、（76.83±16.92）μg/g。200 mV、500 mV、1200 mV组与对照组相比脑部EB含量有统计学意义。对照组（0 mV组）和100 mV、200 mV组小鼠大脑受超声辐照区域脑组织正常,均无红细胞渗出;500 mV组、1200 mV组小鼠大脑超声作用区域脑实质有不同程度红细胞渗出。[结论]当FUS基础频率为1 MHz,脉宽10 ms,总辐照时间120 s,脉冲重复频率为1 Hz,六氟化硫微泡剂量2.5 μl/g的情况下,输出电压为200 mV可高效且安全地经皮开放BBB,是较为合适的输出电压幅值。第二章脉宽对聚焦超声开放血脑屏障有效性及安全性的影响研究[目的]在其他条件固定的情况下,探索脉宽对FUS开放BBB有效性及安全性的影响,筛选出合适的脉宽值。[方法]将SPF级雄性KM小鼠（8-9周龄,体重28 g以上）随机分为5组:0 ms组,1 ms组,10 ms组,100 ms组和200 ms组。尾静脉注射微泡后给予FUS辐照（Bregma-2.7 mm,lateral+2.5 mm）,再经尾静脉注入伊文思蓝EB,4h后取材,用EB的脑含量表征FUS开放BBB的有效性,用HE染色探查安全性。[结果]0 ms组小鼠BBB未开放,小鼠脑部EB含量为（4.67±2.14）μg/g,其余各组小鼠BBB均有不同程度开放。1 ms、10 ms、100 ms、200 ms组小鼠脑部 EB 含量分别为（9.63±3.31）、（19.16±2.47）、（20.75±7.77）、（29.48±10.42）μg/g,其中10 ms、100 ms、200 ms组小鼠脑部EB含量与对照组相比有统计学意义。0 ms组、1 ms组、10 ms组小鼠FUS辐照中心区域脑组织未见红细胞渗出;100 ms组、200 ms组FUS辐照中心区域有少量红细胞渗出。[结论]当FUS基础频率为1 MHz,输出电压200 mV,总辐照时间120 s,脉冲重复频率为1 Hz,六氟化硫微泡剂量2.5μl/g的情况下,脉宽10 ms时可高效且安全地经皮开放BBB,是较为合适的脉宽值。第三章聚焦超声开放血脑屏障的可逆性研究[目的]探索在基础频率1 MHz,输出电压200 mV,总辐照时间120 s,脉宽10 ms,脉冲重复频率1 Hz,六氟化硫微泡剂量2.5 μl/g的参数条件下,FUS开放BBB是否具备可逆性及其开放时间窗。[方法]将SPF级雄性KM小鼠（8-9周龄,体重28 g以上）随机分为4组:-1-0 h组、0-1 h组、1-8 h组、8-9h组。于0h经尾静脉注射微泡后给予安慰性辐照或 FUS 辐照（Bregma-2.7 mm,lateral+2.5 mm）,分别于-1 h（-1-0 h组）、0 h（0-1 h组）、1 h（1-8 h组）、8 h（8-9 h组）经尾静脉注入EB,于0（-1-0h组）、1（0-1h组）、8（1-8h组）、9h（8-9h组）依次取材,用紫外分光光度计测量EB的脑含量。[结果]-1-0 h组、8-9 h组小鼠BBB未开放,0-1 h组、1-8 h组小鼠BBB有不同程度开放。-1-0 h组、0-1h组、1-8 h组、8-9 h组小鼠脑部EB含量分别为（1.50±0.19）、（8.60±1.89）、（2.63±0.76）、（1.57±0.46）μg/g。与对照组相比,0-1 h组、1-8 h组小鼠脑部EB含量明显增高,有统计学意义。8-9 h组与对照组相比无统计学意义,同时0-1 h组与其他各组相比均有统计学意义。[结论]基础频率1 MHz,输出电压200 mV,脉宽10 ms,总辐照时间120 s,脉冲重复频率1 Hz,六氟化硫微泡剂量2.5μl/g为本实验探索出的高效、安全、可逆性开放BBB的FUS参数。0-1 h为FUS开放BBB的高峰时段,1 h后BBB开放程度逐渐降低,8 h以后处于关闭状态。第三部分聚焦超声联合天麻素治疗Aβ1-42诱导的AD样小鼠的实验研究[目的]探究FUS联合天麻素（Gas）是否对Aβ1-42诱导的AD样小鼠有治疗效果,并对其作用机制进行初步探索。[方法]将SPF级雄性KM小鼠（8-9周龄,体重28 g以上）随机分为5组:Control组,Aβ1-42组,Gas组,FUS组和FUS+Gas组。首先将实验鼠随机分笼,4-5只/笼,并于SPF条件下饲养。待小鼠适应7 d后于第0d造模,即侧脑室注射1μg/μl的Aβ1-42溶液（2μl/只）。造模结束后令小鼠休息至第3 d开始治疗,治疗方法为FUS联合Gas干预。Gas为腹腔注射给药（100 mg/kg）,每天一次;为了避免尾静脉感染等负性事件的产生,FUS开放BBB每3天一次,共5次（第5、8、11、14、17 d）,Gas给药后即行聚焦超声治疗或安慰性操作。第18d进行Y迷宫行为学测试,第19d取材。检测FUS辐照侧小鼠海马中Aβ、tau、P-tau的含量、AQP4的表达,以及BDNF、SYN、PSD-95的含量改变。[结果]Aβ1-42组小鼠较Control组小鼠在Y迷宫新异臂探索的时间显着降低,海马区Aβ显着增加。同时,FUS+Gas组较Aβ1-42组小鼠在Y迷宫新异臂探索的时间显着升高。WB结果显示FUS+Gas组小鼠左侧海马区AQP4表达量较Aβ1-42组显着增加,而Aβ、tau、P-tau的含量均明显降低。同时FUS+Gas治疗后BDNF、SYN、PSD-95的含量较Aβ1-42组显着增高。[结论]FUS联合Gas可增加Aβ1-42诱导的AD样小鼠海马区AQP4的表达并降低Aβ、tau、P-tau的含量,改善病理表现;同时FUS联合Gas治疗对Aβ1-42诱导的AD样小鼠的记忆功能有保护作用,这种保护作用或与FUS联合Gas可上调海马区BDNF、SYN、PSD-95的表达,加强突触的可塑性有关。FUS联合Gas可有效治疗Aβ1-42诱导的AD样小鼠,或有望成为AD的有效治疗方法。
尹一鸣[5]（2021）在《锰钴镍氧热敏薄膜材料及非制冷红外探测器件研究》文中研究说明非制冷红外探测器在红外成像、空间科学与技术、生物、医药、环境保护等领域有着广泛应用,发展高性能、宽波段、大规模集成的非制冷红外探测器是近些年的研究热点。过渡金属氧化物Mn-Co-Ni-O薄膜材料具有负电阻温度系数大、光谱响应范围宽、长期稳定性好等优点,适合于制备宽波段响应的高性能非制冷红外探测器。然而,由于材料制备温度过高、器件性能不具优势等原因,Mn-Co-Ni-O薄膜材料尚无法得到广泛应用。本论文针对Mn-Co-Ni-O薄膜材料广泛应用存在的问题开展了相关研究,主要内容和创新点如下:1.研究了后退火对低温制备的Mn1.56Co0.96Ni0.48O4（MCN）薄膜材料微结构、表面形貌和电学性质的影响。采用射频磁控溅射法以相对较低的温度（450℃）制备了MCN薄膜,将薄膜分别在450℃、600℃和750℃条件下退火20分钟。结构与表面形貌表征表明退火对薄膜的结晶性和晶粒尺寸有重要影响。变温电学性质研究结果显示450℃退火的薄膜有最低的电阻率（326Ω·cm）和较大的负电阻温度系数（-3.4%/K）,MCN薄膜材料中的小极化子跳跃电导均符合最近邻跃迁模型。这种低温溅射MCN薄膜的方法与现代硅工艺技术兼容,对发展基于MCN薄膜材料的线列与阵列器件具有重要意义。2.研究了沉积温度对Mn1.56Co0.96Ni0.48O4（MCN）薄膜材料微结构、离子价态分布和电学性质的影响。采用射频磁控溅射法在200℃、400℃和750℃下沉积了Mn1.56Co0.96Ni0.48O4（MCN）薄膜,XRD和SEM结果表明沉积温度对薄膜材料的结晶性和表面形貌具有重要影响,采用XPS谱分析了Mn、Co、Ni元素的价态,确定了不同温度沉积的MCN薄膜材料的离子分布和分子式。Mn3+/Mn4+的比值随沉积温度升高而增大,而在400℃时,Mn3+/Mn4+离子对的浓度最大。变温电学测试表明MCN薄膜的电阻率随沉积温度的升高而下降,所有薄膜材料均具有相近的特征温度和激活能。基于材料的结晶性和XPS结果,我们对MCN薄膜材料电阻率与沉积温度之间的依赖关系进行了分析。这项研究工作深入分析了沉积温度对MCN薄膜材料的影响,对制备高质量MCN薄膜材料具有重要参考意义。3.研究了多种组分Cu和Sc掺杂Mn1.5Co1Ni0.5O4（MCN）薄膜材料用于增强MCN薄膜材料的光电学性能。采用化学溶液法在氧化铝衬底上制备了未掺杂的Mn1.5Co1Ni0.5O4薄膜和Cu、Sc共掺杂的Mn1.5Co1Ni0.25CuxSc0.25-xO4（x=0.05,0.1,0.15）薄膜。研究了薄膜的结晶性、表面形貌、电学输运性质、光学性质和1/f噪声性质。Mn1.5Co1Ni0.25Cu0.15Sc0.1O4薄膜的负电阻温度系数和特征温度高于Mn1.5Co1Ni0.5O4薄膜,而295 K时的电阻率（250Ω·cm）仅为Mn1.5Co1Ni0.5O4薄膜的一半。研究分析了MCN薄膜和掺杂MCN薄膜在0.55-2μm范围内的透射光谱和反射光谱,这些薄膜在测量光谱范围内表现出相似的吸收特性。掺杂MCN薄膜的1/f噪声显着低于MCN薄膜,Mn1.5Co1Ni0.25Cu0.15Sc0.1O4薄膜的（γ/n）0.5/|TCR|值在295 K时为2.3×10-12 cm1.5 K/%,较MCN薄膜低两个数量级。这项研究发现了一种性能优异的热敏薄膜材料,有望应用于高性能非制冷红外探测器。4.超宽波段均匀光谱响应的非制冷红外探测器性能及成像研究。采用射频磁控溅射法在室温下沉积了低电阻率（131Ω·cm）和负电阻温度系数（-3.1%/K）的Mn1.56Co0.96Ni0.48O4（MCN）薄膜,基于MCN薄膜和一种商用有机薄膜实现了一种超宽波段响应的红外探测器,其光谱响应范围为1.3-27μm（SWIR-VLWIR）,光谱响应非均匀性小于5%。同时,设计并制备了MCN线列探测器,器件探测元的平均响应率为260 V W-1,探测率为1×108 Jones,响应时间为9.9ms。利用超宽波段均匀光谱响应的MCN线列探测器进行了“真实”红外成像实验,验证了“真实”红外成像在应用中的显着优势。这项研究结果解决了红外探测器兼具超宽波段和均匀光谱响应的难题,发展了一种具有更高探测率和识别率的成像方法。
李赛[6]（2021）在《电容式微机电超声换能器的研究与工艺实现》文中研究说明与传统压电换能器相比,电容式微超声换能器（CMUT）性能优良,应用前景广泛。本文以实现应用于空耦式超声检测的换能器的结构设计与工艺实现为主要研究目标,使用COMSOL Multiphysics有限元分析软件,完成CMUT微元的仿真工作并与理论研究对比分析,对CMUT微元的结构及掩模版图进行优化;在微元研究的基础上完成CMUT阵列的仿真工作,分析换能器的聚焦声场特性;基于牺牲释放工艺思想设计低成本的CMUT制备工艺,结合仿真所得结果确定工艺参数用于指导CMUT的制备工作。首先以平行板电容模型为基础得到了简化模型结构参数,推导CMUT振动薄膜的半径、厚度等结构参数与谐振频率、塌陷电压、静态电容和机械阻抗特性参数的关系,分析CMUT微元的声辐射阻抗特性。利用COMSOL软件在机电、压力声学物理场下对微元进行稳态分析、模态分析以及谐响应分析,将仿真结果与理论计算进行对比。在通过仿真验证结构设计的可行性后,提出了使用SU-8光刻胶作为振动薄膜的方法,并对微元结构进行了优化。其次在微元结构确定的基础上对CMUT相控阵阵列进行研究。以脉冲反射法分析了阵列成像在发射和接收过程的原理,研究分析广义声压、时间延迟激励、归一性函数,分析阵元中心距和数量对指向性的影响。利用COMSOL有限元仿真软件建立相控阵模型,确定了相控阵阵元声束的激励时间和幅度,在二维空间内研究阵元中心距、中心频率以及阵元数量对换能器轴向声压的影响,保证形成的聚焦声场在聚焦深度和检查效率方面具有良好特性。最后对现有牺牲释放工艺、晶圆键合工艺的优缺点进行了对比分析,结合理论与仿真研究结果,提出使用SurPass 3000牺牲出空腔,SU-8作为振动薄膜的方法,设计了一种低成本的CMUT制备工艺。详细讨论制造工艺加工流程,确定各步骤工艺参数,为换能器的制备提供可行性方案。由CMUT理论分析和有限元仿真的结果表明,采用牺牲释放工艺制备换能器能够满足设计要求。本课题有助于设计出低成本、高产出率的电容式微机电超声换能器。
王煜蓉[7]（2020）在《高精度高稳定Si-APD单光子探测技术研究》文中提出激光脉冲到达时刻的精确测定是实现高精度激光时间传递的关键技术,这对单光子探测器的精度与稳定度要求极高。当前最先进的时间传递系统,对整个链路的精度要求已经达到20 ps,长期稳定性能要求已达到亚皮秒级别。作为系统的核心模块,单光子探测器的探测性能对时间传递系统起着至关重要的作用。本文主要研究适用于星地激光时间传递系统的高精度高稳定度Si-APD单光子探测技术,解决限制探测器精度和稳定度的延时漂移难题,并通过改善探测方案增加有效数据测量量,使时间传递系统的精度优于30 ps,稳定度优于0.1ps@300s,1 ps@1day,为星地时间信号的高精度高稳定度传递与比对提供技术支持。论文的创新点与主要研究内容如下:1)针对单光子探测器的长时间高稳定探测,发展了一种主动抑制与门控探测相结合的高精度雪崩读出电路,完成了两版分别带有温度漂移自动补偿与温度漂移主动控制的高精度单光子探测器研制,单次测量精度均优于20 ps RMS。在此基础上,搭建了一套高精度高稳定度时间传递测试系统,最终测得整个激光时间传递链路的精度优于25 ps RMS,短期时间稳定度优于0.1 ps@300s,长期时间稳定度优于0.5 ps@1day,对应频率稳定度达到2×10-17@1day。本文研究的单光子探测技术,计划应用于我国空间站激光时间传递链路的探测模块,提供高精度高稳定度时间信号的传递与比对服务。2)针对单光子探测器的温度漂移效应,发展了两种稳定探测延时的方法。温漂被动补偿方案的温度漂移系数为7 fs/℃,适用于环境温度缓慢变化的应用场景,在20-40℃范围内变温,整个时间传递链路的时间稳定度可达到0.1 ps@300s。主动控制温漂方案的温度漂移系数为10 fs/℃,可用于环境温度无规律复杂多变的应用场景,在24-45℃范围内,不管温度如何变化,整个时间传递链路的时间稳定度均可达到0.15 ps@1000s。两种温度漂移补偿方案,为外场环境中的高精度与高稳定单光子探测提供了有效的解决方法。3)针对探测器短期稳定度提升难题,发展了一种多通道单光子探测方案,在不引入时间游动效应,不影响探测模块的精度,且不增加数据收集系统复杂程度的情况下,测得整个链路的精度为28 ps RMS,时间稳定度为0.03 ps@300s;根据我们的了解,该探测器模块的时间稳定性能在当前国际上处于最高水平,为高精度高稳定激光脉冲时间传递系统提供了一种新的技术方法。
陈金秋[8]（2020）在《AZ31镁合金电子束焊接焊缝成形机制及其性能研究》文中提出镁合金作为一种理想的轻质合金,在航空航天、国防军工、车辆交通等工业制造领域应用越来越广泛。然而,镁合金熔点较低,热导率及热膨胀系数较高,化学性质活泼、易氧化,使得镁合金在焊接过程中存在诸多难点。作为一种先进的真空焊接制造技术,电子束焊接具有能量密度高、室内真空度高、焊接质量好等优势,可以很好的实现镁合金的深熔透焊接。其焊缝力学性能、耐蚀性能等皆优于其它焊接工艺。然而,采用电子束焊接镁合金时,对焊接参数要求较高。若焊接参数选择不当,则难以获得成形良好、性能优异的焊接接头。因此,深入研究电子束焊接焊缝成形机理,优化焊接工艺参数,对于提高镁合金电子束焊接质量具有重要意义。首先,针对电子束焊接模拟时单一热源模型难以反映实际焊接过程的问题,基于电子束深熔透焊接的特征,建立了由圆锥高斯热源和双椭球热源组成的复合热源模型。采用Fluent软件模拟了镁合金电子束焊接时包括瞬态熔池传热、液态金属流动、焊缝匙孔形成、焊后金属回填等在内的熔池形成行为。采用Sysweld软件对AZ31镁合金电子束焊接过程中的温度场、应力场进行了有限元模拟。得到了不同焊接功率、焊接速度下的AZ31镁合金焊缝成形规律、热循环曲线以及残余应力分布情况。为电子束焊接工艺的制定奠定了一定的理论基础。其次,采用电子束重熔焊接试验,研究了不同电子束焊接参数对AZ31镁合金焊缝成形的影响,并对焊接成形工艺进行优化。研究结果表明,在电子束焊接AZ31镁合金时,增大加速电压或电子束流,都会使焊缝熔深和熔宽得到增加,且熔深的增加程度较熔宽明显;焊缝焊透后,随着热输入的增大,焊缝形状由钉形过渡为平直形。电子束聚焦于表面位置时继续增大聚焦电流,焦点偏离表面聚焦位置越远,焊缝的熔宽越大,熔深越小;随着焊接速度的增加,焊缝熔深和熔宽逐渐减小。再次,结合优化后的焊透工艺,对AZ31镁合金板材进行了对接试验。研究了不同热输入对AZ31镁合金电子束焊接接头的力学性能和微观组织的影响。试验结果表明,随着热输入的增加,接头强度指标和塑性指标均呈现先增大后减小的趋势。当热输入为180 J/mm时,AZ31镁合金接头综合力学性能最优。焊接热输入的增加,导致焊缝区晶粒尺寸的增大和Mg17Al12析出相数量的增多。当焊接接头发生拉伸塑性变形时,析出相有效地钉扎了位错线,限制了位错的运动,提高了焊接接头的强度。当塑性变形量为3%时,接头试样中基面滑移占主导地位。而当塑性变形量达到8%后,接头试样内发现大量形变孪晶。焊接接头的断裂位置均发生在接头熔合线附近。焊缝区断口形貌与母材断口形貌存在明显差异。母材一侧的断口呈现沿晶脆性断裂特征,而接头焊缝区处断口表现出一定的韧性断裂形貌。随后,通过微观组织观察、电化学腐蚀测试以及腐蚀形貌观测等方法对不同焊接参数成形的AZ31镁合金接头在3.5wt.%Na Cl溶液介质中的腐蚀行为及机理进行研究分析。研究结果表明,AZ31镁合金母材腐蚀形式主要表现为丝状腐蚀特征。腐蚀首先在母材处以腐蚀点的形式萌生,随后,点蚀沿着母材晶界处发生扩展,产生了连续的丝状腐蚀坑。当丝状腐蚀蔓延至熔合线处时,熔合线附近的析出相沿晶界分布,有效阻碍了腐蚀的扩展。在焊缝区内,部分析出相附近会率先发生腐蚀,受析出相的影响,率先腐蚀的区域无法向四周扩展。腐蚀会在其他区域继续形核。腐蚀区域随腐蚀时间逐渐增多,宏观上使焊缝区体现为均匀腐蚀特征。通过浸泡试验和电化学腐蚀试验发现,随着热输入的增大,AZ31镁合金电子束接头的耐蚀性呈现先变好后变差的趋势。热输入为180J/mm的镁合金焊接接头具有最好的耐蚀性,其接头的电荷转移电阻Rct与母材相比提高了9.5倍,Rct值上升了一个数量级。同时其Ecorr值最大,较母材正移了0.061 V;而icorr仅为母材的27%。最后,通过焊后热处理和深冷处理工艺对热输入为180 J/mm成形优良的AZ31镁合金电子束焊接接头进行了性能改善。研究结果表明,在经过450℃/0.5 h固溶处理后,析出相被完全固溶。AZ31镁合金的塑性指标得到了大幅提高,其延伸率约为15.7%,比未处理时延伸率提高3.0%。经过深冷处理后,AZ31焊缝区内的晶粒尺寸有所减小,组织均匀程度得到提高,析出相颗粒细化且趋于弥散分布,晶体位向由（10—10）向（10—11）偏转,AZ31镁合金接头耐蚀性能有所提高。当深冷时间一定时,不同深冷工艺下AZ31镁合金接头耐蚀性排序为:-140℃/4 h>-180℃/4 h>-100℃/4 h。-140℃/4 h深冷处理后的电荷转移电阻Rct比未深冷时升高了1.82倍,其Ecorr值最大,达到-1.421 V,较未处理时正移了0.051 V;而icorr仅为未处理时的40.7%。当深冷温度一定时,不同深冷工艺下接头耐蚀性排序为:-140℃/6 h>-140℃/4 h>-140℃/8 h>-140℃/2 h。-140℃/6 h深冷处理后的电荷转移电阻Rct比未深冷时升高了2.41倍,其Ecorr值最大,达到-1.402 V,较未处理时正移了0.07 V;而icorr仅为未处理时的31.5%。
方晓[9]（2020）在《经颅磁刺激系统关键技术研究》文中研究表明随着现代社会生活节奏的加快,精神类疾病的发病率也急剧上升。经颅磁刺激（Transcranial Magnetic Simulation,TMS）作为一种无创、无侵入性的神经调节技术,在精神障碍成因探索及精神类疾病治疗上有重要应用。TMS系统性能直接影响神经调节效果,但现有TMS系统性能水平与临床应用、科学研究性能需求之间仍存在亟待解决的矛盾,主要体现在:实现颅内感应电场空间分布多重特性改善与刺激线圈几何结构优化不足的矛盾,实现刺激波形多样化、刺激参数灵活可调与现有TMS刺激波形发生电路性能单一的矛盾,实现TMS系统连续工作与刺激线圈温升超过安全极限导致TMS系统工作在间歇模式的矛盾。因此,如何通过TMS系统关键技术研究进一步提高TMS系统性能具有重要的科研意义和临床价值。本文在广泛阅读文献的基础上,以提高TMS系统性能为目标,对TMS系统关键技术进行深入研究,主要内容包括:TMS系统建模、高性能经颅磁刺激线圈优化设计、多样化经颅磁刺激波形发生电路研究及适用于连续工作的内冷式经颅磁刺激系统研究。在TMS系统建模与分析方面,针对TMS系统的电、磁、热、力等多物理场耦合特性及神经元电生理特性复杂而导致建模难的问题,建立了TMS刺激线圈电-磁-热-应力模型、单双相脉冲放电电路模型及TMS作用下的神经元动态响应模型,可准确表述TMS系统参数对颅内感应电场时空分布特性及神经元膜电位的影响。在此基础上,针对神经元阈值可变性,提出基于神经元动态响应的TMS闭环控制模型,可实现神经元膜电位动态跟踪,解决了开环刺激时难以根据神经元响应对刺激参数进行有针对性调整的问题。在高性能经颅磁刺激线圈优化设计方面,首先针对传统TMS线圈产生的颅内感应电场刺激强度不足、聚焦性不高的问题,提出半椭圆刺激线圈（Semi-Ellipse Coil Pair,SEP）,在相同焦耳损耗下,相比于目前市面广泛采用的八字形刺激线圈（Figure of Eight,FOE）,SEP可将颅内靶区的刺激强度提高44%、聚焦性改善6%;为进一步改善颅内感应电场空间分布特性,提出了瓦形刺激线圈（U-Shaped Coil Pair,USP）,在建立USP几何参数与颅内感应电场空间分布特性映射关系、颅内感应电场空间分布综合评价模型的基础上,利用全局粒子群算法对USP几何参数进行多目标优化。与相同焦耳损耗下的FOE相比,优化后的USP可将颅内感应电场刺激强度增强8.0%、聚焦性改善30%、正负峰值比提高49%、纵向衰减性改善8.3%、综合特性提升28%。在多样化经颅磁刺激波形发生电路研究方面,针对科学研究对刺激波形多样化、刺激参数灵活可调的需求,提出基于多模块IGBT全桥结构的混合多波形经颅磁刺激电路（Hybrid Multi Waveform TMS Circuit,h TMS）,该电路不仅可实现目前市面广泛采用的单、双相余弦形颅内感应电场,还可实现单相近似矩形、双相近似矩形、单双相阶梯形三类幅值和脉宽可调的新型颅内感应电场,突破了传统TMS系统中刺激波形的种类限制;在h TMS可产生的多种混合刺激波形中,以双相四段可控型颅内感应电场波形（Biphasic Four-level Induced E-filed with Controllable Parameters,BFE）为例,通过深入分析BFE波形参数与神经元动态响应特性的关系,对BFE波形进行优化设计。结果表明:相比于相同能量损耗的单、双相余弦形颅内感应电场,BFE波形作用下的神经元极化率分别降低54.5%、87.5%,可有效增强神经调节作用、提高刺激选择性。在适用于连续工作的内冷式经颅磁刺激系统研究方面,针对目前TMS系统因线圈发热需工作在间断模式及液氮冷却、油浸冷却等传统冷却方法造成系统体积庞大、影响线圈灵活定位等问题,提出内冷低功耗经颅磁刺激系统（Intercooling TMS with Low Power Loss,i TMS）,通过建立内冷刺激线圈的医疗效果模型、焦耳功率模型及综合评价模型,设计了最优低功耗内冷刺激线圈（Optimum Low Power Loss Intercooling Stimulation Coil,OIC）,在获得相同医疗效果时,OIC可将线圈焦耳功率降低30%。在此基础上,对i TMS系统冷却参数进行优化设计,结果表明:当连续施加3000个有效刺激脉冲时,i TMS系统的冷却性能优于目前市面上带内冷设计的TMS系统（Medtronics,Cool-B65）,可在保证医疗效果的前提下,实现连续工作。
钟健麒[10]（2020）在《紧凑型Nd:YAG脉冲激光器及其热效应研究》文中研究指明激光二极管（LD）泵浦的全固态激光器（DPSSL）具有高效率、寿命长、重量轻、光束质量好等优势,被广泛应用于机械加工、医疗、科研、军事等领域。本文对高温激光二极管阵列（LDAs）泵浦的Nd:YAG激光器输出特性及热效应进行了研究,利用高温泵源可以降低激光器散热压力的优点,在实现激光器结构紧凑的基础上获得了大能量激光输出。通过对Nd:YAG激光晶体的物理及光学特性进行研究,并与其它增益介质进行对比,分析了该晶体作为增益介质的优势,从理论上分析了晶体的能级结构,计算了晶体内部能级在不同工作温度下的玻尔兹曼分布,证明其在高温泵浦的固体激光器中可以稳定且高效的实现激光输出。通过利用Ansys软件对不同泵浦情况下的晶体内温度场分布以及由于温度分布不均匀导致的晶体热透镜效应进行了模拟。根据四能级系统的速率方程,分析了影响激光器输出特性的不同因素。分别设计了高温LDAs端面泵浦和侧面泵浦Nd:YAG电光调Q激光器。在端泵Nd:YAG电光调Q激光器实验中,使用高温LDAs作为泵浦源,通过特殊设计的导光锥结构的光束耦合系统对以布儒斯特角切分的Nd:YAG晶体进行泵浦。使用DKDP电光Q开关进行调Q操作,在重复频率20Hz,泵浦电压脉冲宽度250μs、300μs条件下获得了单脉冲能量44.1mJ和50.2mJ的脉冲激光输出,对应脉冲宽度分别为18.3ns和21.3ns,斜效率12.35%和12.24%。在侧泵Nd:YAG电光调Q激光器实验中,为使激光晶体内的泵浦光更加均匀,采用环绕泵浦的方法对Nd:YAG晶体进行泵浦,通过在腔内插入偏振分光棱镜,四分之一波片以及DKDP电光Q开关对侧面泵浦的Nd:YAG激光器进行调Q操作。在重复频率20Hz,泵浦电压脉冲宽度300μs,工作温度60℃的条件下获得了单脉冲能量102mJ的脉冲激光输出,对应脉冲宽度为26ns。将重复频率降低为1Hz后,获得了124mJ的单脉冲激光输出,对应脉冲宽度为25.6ns。通过实验发现采用高温泵源可以在获得大能量激光输出的同时降低激光器的散热压力,使激光器可以实现无水冷,小型化的目的。
二、使聚焦电压升高的有效方法（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、使聚焦电压升高的有效方法（论文提纲范文）
（1）石墨形貌及粒度对高比容硅氧碳复合电极结构及性能影响的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 言 |
| 1.2 锂离子电池简介 |
| 1.2.1 锂离子电池的工作原理 |
| 1.2.2 锂离子电池的基本组成及制造工艺 |
| 1.3 锂离子电池用多孔电极结构设计及制备技术的研究进展 |
| 1.3.1 电极孔隙率 |
| 1.3.2 多孔电极孔径大小及分布状态 |
| 1.3.3 曲折度 |
| 1.3.4 电极组分的分布状态 |
| 1.4 锂离子电池用多孔电极应力应变及其检测技术的研究进展 |
| 1.4.1 基片/衬底曲率法 |
| 1.4.2 实时三维数字图像技术(3D-DIC) |
| 1.4.3 原位SEM和原位FIB-SEM |
| 1.4.4 恒位移和恒压力加载 |
| 1.5 选题意义和主要研究内容 |
| 1.5.1 选题目的及意义 |
| 1.5.2 主要研究内容 |
| 2 实验方案 |
| 2.1 实验原料和主要设备 |
| 2.1.1 实验原料 |
| 2.1.2 实验仪器及设备 |
| 2.2 材料表征方法 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) |
| 2.2.2 激光粒度分析测试 |
| 2.2.3 粉末电导率测试 |
| 2.2.4 X射线光电子能谱(XPS) |
| 2.2.5 表面形貌及成分分析 |
| 2.3 材料的电化学性能表征 |
| 2.3.1 扣式电池电极制备 |
| 2.3.2 扣式电池组装 |
| 2.3.3 软包电池电极制备 |
| 2.3.4 软包电池组装 |
| 2.3.5 电化学性能表征 |
| 2.4 电极结构表征方法 |
| 2.4.1 压汞法测试 |
| 2.4.2 曲折度测试 |
| 2.5 力学性能表征方法 |
| 2.5.1 恒位移测试 |
| 2.5.2 恒压力测试 |
| 3 不同石墨材料的理化特性及相关电极研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 不同石墨材料的理化性能表征 |
| 3.3 石墨电极结构的表征分析 |
| 3.3.1 石墨电极表面与截面形貌表征 |
| 3.3.2 石墨电极取向性表征分析 |
| 3.3.3 石墨电极的曲折度表征 |
| 3.4 石墨材料的形貌及粒度对电化学性能的影响 |
| 3.4.1 石墨电极首次充放电特性分析 |
| 3.4.2 石墨电极的循环性能分析 |
| 3.4.3 石墨电极的倍率性能分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 SiO_x/C复合电极结构电化学性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 SiO_x材料的性能表征 |
| 4.2.1 SiO_x材料的理化性能表征 |
| 4.2.2 SiO_x材料的电化学性能研究 |
| 4.3 SiO_x/C复合电极的结构分析 |
| 4.3.1 SiO_x/C复合电极的制备 |
| 4.3.2 SiO_x/C复合电极的形貌及结构表征分析 |
| 4.4 SiO_x/C复合电极的电化学循环性能研究 |
| 4.4.1 SiO_x/C复合电极首次充放电特性分析 |
| 4.4.2 SiO_x/C复合电极的循环性能分析 |
| 4.5 SiO_x/C复合电极循环前后的结构变化分析 |
| 4.6 SiO_x/C复合电极的倍率性能分析 |
| 4.7 本章小结 |
| 5 高镍/SiO_x/C软包电池电化学性能及力学性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 高镍/SiO_x/C软包电池的制备 |
| 5.3 高镍/SiO_x-C软包电池的电化学性能研究 |
| 5.3.1 高镍/SiO_x/C软包电池初始电化学性能 |
| 5.3.2 高镍/SiO_x/C软包电池的循环性能 |
| 5.4 高镍/SiO_x/C软包电池力学性能研究 |
| 5.4.1 高镍/SiO_x/C软包电池的恒位移加载研究 |
| 5.4.2 高镍/SiO_x/C软包电池的恒压力加载研究 |
| 5.5 高镍/SiO_x/C软包电池的性能衰减模式分析 |
| 5.5.1 准平衡态标定法 |
| 5.5.2 微分电压曲线分析 |
| 5.5.3 电化学阻抗图谱分析(EIS) |
| 5.5.4 循环前后电池的解剖分析 |
| 5.6 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 |
| 致谢 |
（2）宽幅扫描电子束动态聚焦仿真优化设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 |
| 1.2 国内外研究现状与发展趋势 |
| 1.2.1 电子枪研发的研究现状 |
| 1.2.2 电子枪仿真模拟的研究现状 |
| 1.2.3 BP神经网络 |
| 1.3 本文的主要研究内容 |
| 第2章 电子枪光学系统分析与CST模型建立 |
| 2.1 电子枪光学系统概述 |
| 2.1.1 基于电子光学对电子在电磁场中运动的分析 |
| 2.1.2 两种电子透镜及其在电子枪光学系统中的作用 |
| 2.2 电子束形成与聚焦系统的设计与CST建模 |
| 2.2.1 电子枪的工作过程 |
| 2.2.2 阴极的设计与CST建模 |
| 2.2.3 聚束极的设计与CST建模 |
| 2.2.4 阳极的设计与CST建模 |
| 2.2.5 聚焦系统的设计与CST建模 |
| 2.3 电子束偏转系统的设计与CST建模 |
| 2.3.1 偏转线圈种类的选择 |
| 2.3.2 多相式偏转线圈的设计与CST建模 |
| 2.3.3 鞍形偏转线圈的设计与CST建模 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 电子束形成系统与聚焦系统的优化 |
| 3.1 阳极的仿真模拟与优化 |
| 3.1.1 阳极连接电子枪壳体对电场和电子束的影响 |
| 3.1.2 阳极孔径改变对电场和电子束的影响 |
| 3.2 聚束极的仿真模拟与优化 |
| 3.2.1 聚束极与阴极间隙改变对电场和电子束的影响 |
| 3.2.2 聚束极偏压对电子束束流特性的影响 |
| 3.3 电子束聚焦系统的仿真模拟与优化 |
| 3.3.1 聚焦线圈内径改变对磁场和电子束的影响 |
| 3.3.2 增加铁壳对聚焦磁场的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 两种偏转线圈的对比与优化 |
| 4.1 多相式偏转线圈中电子束偏转情况与磁场均匀度分析 |
| 4.1.1 四相式偏转线圈中电子束偏转情况与磁场均匀度分析 |
| 4.1.2 聚焦线圈磁场对多相式偏转线圈磁场的影响规律 |
| 4.1.3 多相式偏转线圈相数改变对模拟结果的影响 |
| 4.1.4 磁芯对四相式偏转线圈电子束偏转情况与磁场的影响 |
| 4.2 鞍形偏转线圈中电子束偏转情况与磁场均匀度分析 |
| 4.2.1 平均绕组鞍形偏转线圈中电子束偏转情况与磁场均匀度分析 |
| 4.2.2 绕线方法改变对模拟结果的影响 |
| 4.3 鞍形偏转线圈中的电子束宽幅扫描 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 宽幅扫描电子束的动态聚焦与控制 |
| 5.1 宽幅扫描电子束中动态聚焦的实现 |
| 5.1.1 宽幅扫描电子束的动态聚焦 |
| 5.1.2 聚焦电子束中聚焦补偿电流与偏转电流的调整 |
| 5.2 以BP神经网络实现的电子束动态聚焦 |
| 5.2.1 BP神经网络的样本数据采集 |
| 5.2.2 BP神经网络模型的设计与建立 |
| 5.2.3 BP神经网络对动态聚焦补偿电流与偏转电流的控制 |
| 5.3 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得创新性成果 |
| 致谢 |
（3）激光触发真空开关固有介质恢复特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 真空介质恢复特性研究现状 |
| 1.2.2 气体介质恢复特性研究现状 |
| 1.3 研究目的与意义 |
| 1.4 本文内容及章节安排 |
| 1.4.1 本文主要研究内容 |
| 1.4.2 本文章节安排 |
| 2 LTVS介质恢复特性理论基础 |
| 2.1 真空电弧的基本特性 |
| 2.2 激光触发真空开关电弧特性 |
| 2.2.1 激光触发真空开关电弧特点 |
| 2.2.2 激光触发真空开关熄弧过程 |
| 2.3 弧后介质恢复时间计算理论 |
| 2.3.1 弧后真空间隙金属蒸汽的衰减过程 |
| 2.3.2 临界蒸汽密度的确定 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 激光触发真空开关电磁场及电流源仿真分析 |
| 3.1 LTVS电场仿真分析 |
| 3.2 LTVS磁场仿真分析 |
| 3.3 高频电流源仿真 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 激光触发真空开关介质恢复特性实验设计 |
| 4.1 LTVS介质恢复特性实验平台 |
| 4.2 试验腔体及高频电流源回路 |
| 4.2.1 试验腔体 |
| 4.2.2 高频电流源回路 |
| 4.3 脉冲高压源设计 |
| 4.3.1 脉冲高压发生回路 |
| 4.3.2 脉冲高压上升率特性研究 |
| 4.3.3 脉冲高压上升时间研究 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 LTVS固有介质恢复特性研究 |
| 5.1 LTVS固有介质恢复特性实验 |
| 5.1.1 时序控制 |
| 5.1.2 不同时刻介质恢复强度 |
| 5.2 不同电流峰值下LTVS介质恢复特性 |
| 5.3 不同电流频率下LTVS介质恢复特性 |
| 5.4 不同电极间距下LTVS介质恢复特性 |
| 5.5 外加磁场对LTVS介质恢复特性影响探究 |
| 5.6 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 |
| 致谢 |
（4）聚焦超声联合天麻素对Aβ1-42诱导的AD样小鼠的治疗作用和机制研究（论文提纲范文）
| 缩略词表 |
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 前言 |
| 第一部分 聚焦超声换能器的制作及表征 |
| 材料和方法 |
| 结果 |
| 讨论 |
| 结论 |
| 第二部分 聚焦超声开放血脑屏障的参数筛选及可逆性研究 |
| 第一章 输出电压对聚焦超声开放血脑屏障有效性及安全性的影响研究 |
| 材料和方法 |
| 结果 |
| 讨论 |
| 结论 |
| 第二章 脉宽对聚焦超声开放血脑屏障有效性及安全性的影响研究 |
| 材料和方法 |
| 结果 |
| 讨论 |
| 结论 |
| 第三章 聚焦超声开放血脑屏障的可逆性研究 |
| 材料和方法 |
| 结果 |
| 讨论 |
| 结论 |
| 第三部分 聚焦超声联合天麻素治疗Aβ_(1-42)诱导的AD样小鼠的实验研究 |
| 材料和方法 |
| 结果 |
| 讨论 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 全文总结 |
| 综述(一) 聚焦超声热消融及开放血脑屏障治疗脑部疾病的研究进展 |
| 参考文献 |
| 综述(二) 低强度聚焦超声神经调控作用的研究进展 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间获得的学术成果 |
| 致谢 |
（5）锰钴镍氧热敏薄膜材料及非制冷红外探测器件研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 测微辐射热计 |
| 1.3 锰钴镍氧化物材料简介 |
| 1.4 Mn-Co-Ni-O薄膜材料的制备方法 |
| 1.4.1 射频磁控溅射法 |
| 1.4.2 化学溶液沉积法 |
| 1.4.3 脉冲激光沉积法 |
| 1.5 Mn-Co-Ni-O薄膜材料及器件的研究进展 |
| 1.5.1 Mn-Co-Ni-O薄膜材料电学性质研究进展 |
| 1.5.2 Mn-Co-Ni-O薄膜材料光学性质研究进展 |
| 1.5.3 Mn-Co-Ni-O非制冷红外探测器研究进展 |
| 本论文研究内容 |
| 第2章 Mn-Co-Ni-O薄膜材料的制备及表征方法 |
| 2.1 Mn-Co-Ni-O薄膜材料的制备方法 |
| 2.1.1 射频磁控溅射法制备Mn-Co-Ni-O薄膜材料 |
| 2.1.2 化学溶液法制备Mn-Co-Ni-O薄膜材料 |
| 2.2 材料结构、形貌和离子价态表征方法 |
| 2.2.1 X射线衍射 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 |
| 2.2.3 透射电子显微镜 |
| 2.2.4 原子力显微镜 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱 |
| 2.3 材料光学与电学性质分析 |
| 2.3.1 傅里叶变换红外光谱分析 |
| 2.3.2 椭圆偏振分析 |
| 2.3.3 变温电学性能测试 |
| 第3章 后退火对射频磁控溅射低温沉积的Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_4薄膜的微结构及电学性质的影响研究 |
| 3.1 Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_4 薄膜材料及电学测试样品制备 |
| 3.1.1 射频磁控溅射生长Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_4 薄膜 |
| 3.1.2 Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_4电学测试样品制备及测试方法 |
| 3.2 Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_4 薄膜材料微观结构与形貌表征 |
| 3.3 Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_4 薄膜材料电学性质 |
| 本章小结 |
| 第4章 沉积温度对磁控溅射制备的Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_4薄膜的微结构、离子分布及电学性质的影响研究 |
| 4.1 射频磁控溅射制备Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_4 薄膜 |
| 4.2 Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_4 薄膜材料晶体结构和形貌表征 |
| 4.3 Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_4 薄膜材料离子价态和阳离子分布 |
| 4.4 Mn_(1.56)Co_(0.96)Ni_(0.48)O_4 薄膜材料电学性质 |
| 本章小结 |
| 第5章 Cu和 Sc共掺杂增强Mn-Co-Ni-O热敏材料性能研究 |
| 5.1 Mn1.5Co1Ni0.5O4 薄膜和掺杂Mn1.5Co1Ni0.5O4 薄膜制备 |
| 5.2 薄膜材料表征和电学性质测试方法 |
| 5.3 晶体结构和形貌表征 |
| 5.4 Mn_(1.5)Co_1Ni_(0.5)O_4薄膜和掺杂Mn_(1.5)Co_1Ni_(0.5)O_4薄膜的电学输运性质 |
| 5.5 550-2000 nm光谱范围内Mn_(1.5)Co_1Ni_(0.5)O_4薄膜及共掺杂Mn_(1.5)Co_1Ni_(0.5)O_4薄膜的光学性质 |
| 5.6 Mn_(1.5)Co_1Ni_(0.5)O_4薄膜和掺杂Mn_(1.5)Co_1Ni_(0.5)O_4薄膜的1/f噪声性质 |
| 本章小结 |
| 第6章 超宽波段Mn-Co-Ni-O线列探测器及红外成像研究 |
| 6.1 Mn-Co-Ni-O薄膜材料制备 |
| 6.2 室温溅射Mn-Co-Ni-O薄膜材料的微结构及表面形貌表征 |
| 6.3 Mn-Co-Ni-O薄膜和OF的光学与电学性质 |
| 6.4 超宽波段均匀光谱响应的Mn-Co-Ni-O单元探测器 |
| 6.4.1 Mn-Co-Ni-O探测器制备 |
| 6.4.2 Mn-Co-Ni-O探测器光电响应特性分析 |
| 6.4.3 Mn-Co-Ni-O探测器响应光谱研究 |
| 6.5 Mn-Co-Ni-O线列探测器性能表征 |
| 6.6 Mn-Co-Ni-O线列探测器“真实”红外成像 |
| 本章小结 |
| 第7章 总结与展望 |
| 7.1 总结 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（6）电容式微机电超声换能器的研究与工艺实现（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景 |
| 1.2 CMUT国内外研究现状 |
| 1.2.1 国外研究现状 |
| 1.2.2 国内研究现状 |
| 1.3 本文主要内容安排 |
| 第二章 CMUT工作原理及理论基础 |
| 2.1 CMUT单体基本结构 |
| 2.2 CMUT工作原理 |
| 2.3 CMUT等效电路模型 |
| 2.4 CMUT特性参数 |
| 2.4.1 塌陷电压 |
| 2.4.2 共振频率 |
| 2.4.3 声辐射阻抗 |
| 2.4.4 机械阻抗 |
| 2.5 本章总结 |
| 第三章 CMUT有限元仿真与优化 |
| 3.1 有限元分析软件COMSOL简介 |
| 3.2 CMUT微元仿真及结果分析 |
| 3.2.1 关于薄膜尺寸的稳态分析 |
| 3.2.2 关于固有频率的模态分析 |
| 3.2.3 关于声场效应的谐响应分析 |
| 3.3 微元结构设计 |
| 3.4 本章总结 |
| 第四章 CMUT阵列的设计分析 |
| 4.1 阵列成像原理 |
| 4.2 指向性能表征指标 |
| 4.2.1 广义声压分析 |
| 4.2.2 阵列波束控制方法 |
| 4.2.3 阵列指向性函数 |
| 4.3 阵列设计参数对指向性的影响 |
| 4.4 阵列建模仿真分析 |
| 4.4.1 阵元中心距对聚焦性能的影响 |
| 4.4.2 中心频率对聚焦性能的影响 |
| 4.4.3 阵元数量对聚焦性能的影响 |
| 4.5 本章总结 |
| 第五章 CMUT的工艺设计 |
| 5.1 CMUT工艺方案的选择 |
| 5.1.1 牺牲释放工艺 |
| 5.1.2 晶圆键合工艺 |
| 5.2 CMUT制备原理及设计 |
| 5.2.1 空腔层的牺牲释放工艺 |
| 5.2.2 振动薄膜的光刻工艺 |
| 5.2.3 金属层的剥离工艺 |
| 5.3 CMUT制备步骤 |
| 5.3.1 表面预处理 |
| 5.3.2 光刻胶匀胶 |
| 5.3.3 匀胶后前烘 |
| 5.3.4 对准和曝光 |
| 5.3.5 曝光后烘培 |
| 5.3.6 显影 |
| 5.3.7 坚膜烘培 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 发表论文和参加科研情况说明 |
| 致谢 |
（7）高精度高稳定Si-APD单光子探测技术研究（论文提纲范文）
| 内容摘要 |
| Abstract |
| 第一章 前言 |
| 1.1 研究背景介绍 |
| 1.1.1 时间信号的产生与传递 |
| 1.1.2 激光时间传递技术原理 |
| 1.1.3 激光时间传递在国内外的研究进展 |
| 1.1.4 高精度高稳定度单光子探测技术的研究现状 |
| 1.2 论文的选题意义与创新点 |
| 1.3 论文的主要内容与框架 |
| 第二章 高精度Si-APD单光子探测器的研制 |
| 2.1 盖革模式APD单光子探测技术 |
| 2.1.1 盖革模式APD的探测方案 |
| 2.1.2 盖革模式APD单光子探测器的性能指标 |
| 2.2 高精度单光子探测器制备 |
| 2.2.1 APD器件选型 |
| 2.2.2 高精度探测电路设计 |
| 2.3 高精度时间传递测试系统搭建 |
| 2.3.1 激光时间传递测试系统 |
| 2.3.2 探测器的性能指标测试 |
| 2.3.3 709nm时间传递测试系统的稳定性能 |
| 2.4 时间传递系统稳定度的影响因素及数值模拟 |
| 2.5 高稳定性能时间传递测试系统搭建 |
| 2.5.1 时间传递测试系统改进 |
| 2.5.2 探测器改进 |
| 2.5.3 新时间传递测试系统的稳定度 |
| 2.6 小结 |
| 第三章 飞秒级温漂的高精度高稳定单光子探测 |
| 3.1 环境温度缓慢变化时的温漂被动补偿方案 |
| 3.1.1 25μm高精度探测器的温漂测试 |
| 3.1.2 100μm高精度探测器的温漂测试 |
| 3.2 环境温度复杂变化时的温漂主动控制方案 |
| 3.2.1 实验方案 |
| 3.2.2 温度漂移实验与结果分析 |
| 3.3 小结 |
| 第四章 多通道高精度高稳定单光子探测 |
| 4.1 多通道单光子探测提升系统稳定度 |
| 4.1.1 多通道探测原理 |
| 4.1.2 实验方案及结果分析 |
| 4.2 小结 |
| 第五章 激光时间传递链路的长稳性能研究 |
| 5.1 基于单通道单光子探测器系统的长稳测试 |
| 5.1.1 长稳实验数据分析 |
| 5.1.2 单通道探测系统的长稳水平 |
| 5.2 基于多通道单光子探测模块系统的长稳测试 |
| 5.2.1 实验方案及长稳结果分析 |
| 5.2.2 多通道探测系统的优化方向 |
| 5.3 小结 |
| 第六章 APD单光子探测技术的其他应用研究 |
| 6.1 4H-SiC APD在盖革模式下的性能研究 |
| 6.1.1 实验方案 |
| 6.1.2 4H-SiC APD器件的性能研究 |
| 6.1.3 温度对4H-SiC APD器件性能的影响 |
| 6.2 高背景噪声环境下的光子计数激光测距 |
| 6.2.1 四通道轻小型激光测距系统 |
| 6.2.2 静态目标白天快速测距 |
| 6.2.3 快速移动目标白天跟踪测距 |
| 6.3 小结 |
| 第七章 总结和展望 |
| 7.1 论文工作总结 |
| 7.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 博士期间科研成果与奖励 |
| 致谢 |
（8）AZ31镁合金电子束焊接焊缝成形机制及其性能研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题的背景及研究意义 |
| 1.2 电子束焊接技术概述 |
| 1.3 镁合金电子束焊接焊缝成形研究现状 |
| 1.4 镁合金及其接头力学行为的研究 |
| 1.5 镁合金及其接头腐蚀行为的研究 |
| 1.5.1 镁的电化学特性和腐蚀机理 |
| 1.5.2 影响镁合金腐蚀的因素 |
| 1.6 镁合金接头焊后处理的研究现状 |
| 1.6.1 热处理对镁合金及其接头性能的影响 |
| 1.6.2 深冷处理对镁合金及其接头性能的影响 |
| 1.7 课题研究内容 |
| 第二章 试验材料与设备 |
| 2.1 电子束焊接试验材料 |
| 2.2 试验方法与设备 |
| 2.2.1 电子束焊接数值模拟 |
| 2.2.2 电子束焊接试验 |
| 2.2.3 电子束焊接接头热处理试验 |
| 2.2.4 电子束焊接接头深冷处理试验 |
| 2.3 力学性能测试 |
| 2.4 腐蚀性能测试 |
| 2.4.1 腐蚀介质 |
| 2.4.2 电化学腐蚀测试 |
| 2.4.3 析氢试验 |
| 2.5 电子束焊接接头宏观和微观形貌的观测 |
| 2.5.1 宏观形貌观测 |
| 2.5.2 微观组织观测 |
| 第三章 AZ31镁合金电子束焊接焊缝成形过程数值模拟 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 电子束焊接熔池形成行为模拟 |
| 3.2.1 控制方程 |
| 3.2.2 焊接热源的建立 |
| 3.2.3 模型建立 |
| 3.2.4 AZ31镁合金电子束焊接熔池行为模拟结果 |
| 3.3 不同电子束焊接参数下焊缝成形数值模拟 |
| 3.3.1 模型建立及热源验证 |
| 3.3.2 不同焊接参数下的镁合金电子束焊接温度场模拟 |
| 3.3.3 不同焊接参数下的镁合金电子束焊接应力场模拟 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 AZ31镁合金电子束焊接接头组织与力学性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 电子束焊接参数对焊缝成形的影响 |
| 4.2.1 加速电压、电子束流对电子束焊缝成形的影响 |
| 4.2.2 聚焦电流对电子束焊缝成形的影响 |
| 4.2.3 焊接速度对电子束焊缝成形的影响 |
| 4.3 电子束焊接参数对AZ31镁合金接头力学性能的影响 |
| 4.3.1 应力应变曲线 |
| 4.3.2 金相组织 |
| 4.3.3 接头硬度 |
| 4.3.4 XRD分析 |
| 4.3.5 TEM分析 |
| 4.3.6 断裂形貌 |
| 4.3.7 分析讨论 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 AZ31镁合金电子束焊接接头的腐蚀性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 腐蚀电化学行为 |
| 5.2.1 开路电位 |
| 5.2.2 电化学阻抗谱 |
| 5.2.3 极化曲线 |
| 5.3 析氢试验 |
| 5.4 腐蚀形貌与机制分析 |
| 5.4.1 腐蚀形貌 |
| 5.4.2 腐蚀机制 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 热处理对AZ31镁合金电子束焊接接头性能的影响 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 固溶处理对AZ31镁合金焊接接头组织的影响 |
| 6.2.1 固溶温度对AZ31镁合金焊接接头组织的影响 |
| 6.2.2 固溶时间对AZ31镁合金焊接接头组织的影响 |
| 6.3 固溶处理对AZ31镁合金焊接接头力学性能的影响 |
| 6.4 固溶处理对AZ31镁合金焊接接头耐蚀性能的影响 |
| 6.5 本章小结 |
| 第七章 深冷处理对AZ31镁合金电子束焊接接头性能的影响 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 深冷处理对AZ31镁合金焊接接头组织的影响 |
| 7.3 深冷处理对AZ31镁合金焊接接头力学性能的影响 |
| 7.4 深冷处理改善AZ31电子束接头在3.5wt.%NaCl溶液中腐蚀行为 |
| 7.4.1 深冷处理温度对AZ31镁合金电子束焊接接头腐蚀行为的影响 |
| 7.4.2 深冷处理时间对AZ31镁合金电子束焊接接头腐蚀行为的影响 |
| 7.4.3 分析讨论 |
| 7.5 本章小结 |
| 第八章 结论与展望 |
| 8.1 全文结论 |
| 8.2 本文的创新点 |
| 8.3 工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间所获研究成果 |
（9）经颅磁刺激系统关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 课题背景 |
| 1.2 经颅磁刺激系统研究现状 |
| 1.3 本文主要研究内容 |
| 2 经颅磁刺激系统建模研究 |
| 2.1 课题背景 |
| 2.2 TMS作用原理 |
| 2.3 TMS刺激线圈模型 |
| 2.4 TMS脉冲放电电路模型 |
| 2.5 TMS作用下的神经元响应模型 |
| 2.6 基于神经元动态响应的TMS闭环控制模型 |
| 2.7 本章小结 |
| 3 高性能经颅磁刺激线圈优化设计 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 人体头部模型及颅内靶区测试线 |
| 3.3 高刺激强度和高聚焦性刺激线圈的优化设计 |
| 3.4 计及颅内感应电场多重特性的刺激线圈优化设计 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 多样化经颅磁刺激波形发生电路研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 混合多波形经颅磁刺激电路拓扑结构 |
| 4.3 幅值和脉宽可调的新型刺激波形 |
| 4.4 双相四段可控型颅内感应电场波形作用下的神经元响应 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 适用于连续工作的内冷式经颅磁刺激系统研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 内冷式经颅磁刺激系统结构 |
| 5.3 低功耗内冷刺激线圈优化设计 |
| 5.4 基于多物理场耦合分析的冷却参数优化设计 |
| 5.5 本章小结 |
| 6 总结及展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 研究展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录1 攻读博士学位期间的主要论文及专利 |
| 附录2 博士生期间参与的课题研究情况 |
（10）紧凑型Nd:YAG脉冲激光器及其热效应研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 本文研究背景及研究目的和意义 |
| 1.2 国内外研究进展 |
| 1.2.1 全固态激光器的发展历程 |
| 1.2.2 DPSSL国外研究现状 |
| 1.2.3 DPSSL国内研究现状 |
| 1.3 本论文研究内容 |
| 第二章 Nd:YAG激光器理论分析 |
| 2.1 Nd:YAG晶体物理、光谱特性 |
| 2.1.1 Nd:YAG晶体物理特性 |
| 2.1.2 Nd:YAG晶体光谱特性 |
| 2.2 Nd3+能级结构 |
| 2.3 Nd:YAG的玻尔兹曼分布 |
| 2.4 温度对激光器输出谱线的影响 |
| 2.5 Nd:YAG激光跃迁的速率方程理论 |
| 2.5.1 速率方程的建立 |
| 2.5.2 速率方程的求解 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 Nd:YAG激光器热效应研究 |
| 3.1 LD端面抽运Nd:YAG激光晶体热效应分析 |
| 3.1.1 激光晶体热分析物理模型的建立 |
| 3.1.2 Nd:YAG晶体温度场分布的仿真模拟 |
| 3.2 Nd:YAG激光器谐振腔设计 |
| 3.2.1 热透镜等效焦距的计算 |
| 3.2.2 激光器谐振腔结构设计 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 高温LDAs端面抽运紧凑型Nd:YAG电光调Q激光器研究 |
| 4.1 主动调Q激光器理论研究 |
| 4.1.1 主动调Q原理 |
| 4.1.2 主动调Q速率方程 |
| 4.2 LDAs端面泵浦紧凑型Nd:YAG电光调Q激光器设计 |
| 4.2.1 高温LDAs泵源设计 |
| 4.2.2 光束耦合系统设计 |
| 4.2.3 电光Q开关 |
| 4.3 高温LDAs端面泵浦紧凑型Nd:YAG电光调Q激光器输出特性分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 高温LDAs侧面泵浦紧凑型Nd:YAG电光调Q激光器研究 |
| 5.1 高温LDAs侧面泵浦紧凑型Nd:YAG电光调Q激光器设计 |
| 5.1.1 高温LDAs侧面泵浦模块的设计 |
| 5.1.2 高温LDAs侧面泵浦Nd:YAG激光器实验装置 |
| 5.2 高温LDAs侧面泵浦紧凑型Nd:YAG电光调Q激光器输出特性分析 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 总结 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
| 致谢 |
四、使聚焦电压升高的有效方法（论文参考文献）
- [1]石墨形貌及粒度对高比容硅氧碳复合电极结构及性能影响的研究[D]. 汪晨阳. 北京有色金属研究总院, 2021(01)
- [2]宽幅扫描电子束动态聚焦仿真优化设计[D]. 王一帆. 哈尔滨工业大学, 2021
- [3]激光触发真空开关固有介质恢复特性研究[D]. 张虎波. 大连理工大学, 2021
- [4]聚焦超声联合天麻素对Aβ1-42诱导的AD样小鼠的治疗作用和机制研究[D]. 罗凯旋. 昆明医科大学, 2021
- [5]锰钴镍氧热敏薄膜材料及非制冷红外探测器件研究[D]. 尹一鸣. 中国科学院大学(中国科学院上海技术物理研究所), 2021(01)
- [6]电容式微机电超声换能器的研究与工艺实现[D]. 李赛. 天津工业大学, 2021(01)
- [7]高精度高稳定Si-APD单光子探测技术研究[D]. 王煜蓉. 华东师范大学, 2020(02)
- [8]AZ31镁合金电子束焊接焊缝成形机制及其性能研究[D]. 陈金秋. 太原科技大学, 2020
- [9]经颅磁刺激系统关键技术研究[D]. 方晓. 华中科技大学, 2020(01)
- [10]紧凑型Nd:YAG脉冲激光器及其热效应研究[D]. 钟健麒. 长春理工大学, 2020(01)